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Kosuke Takiguchi  瀧口 耕介

Dept. of Electrical Engineering and Information Systems Grad. School of Engineering, The University of Tokyo D3

東京大学工学系研究科 電気系工学専攻 博士後期課程3年

日本学術振興会特別研究員 DC2 2020年度~

統合物質科学リーダー養成プログラム(MERIT) 7期

Education 学歴

2012年  開成高等学校 卒業

2017年  東京大学工学部電気電子工学科 卒業

卒業論文題目 「Fe/ MgO /IV 族強磁性半導体 Ge1-xFex からなる磁気トンネル接合の形成と トンネル磁気抵抗効果の増大」

2019年  東京大学工学系研究科電気系工学専攻修士課程修了

修士論文題目 ”Giant gate-controlled proximity magnetoresistance in semiconductor-based ferromagnetic /nonmagnetic bilayers”「半導体を用いた強磁性/非磁性の二層構造におけるゲート変調可能な巨大近接磁気抵抗効果」

2019年~ 東京大学工学系研究科電気系工学専攻博士後期課程在学

Research field 研究領域

  • Spintronics
  • Ferromagnetic semiconductor
  • Topological materials
  • Non-reciprocal phenomena
  • Magnetotransport phenomena

Publication 査読付き論文

Preprint プレプリント

Awards 受賞

  • 2018年春季応用物理学会 第9回英語講演奨励賞 受賞 K. Takiguchi, L. D. Anh, K. Okamoto, T. Takeda, T. Koyama, D. Chiba and M. Tanaka; “Large anisotropic magnetoresistance induced by a proximity effect in an InAs / (Ga,Fe)Sb quantum well heterostructure”, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 20a-D104-8 ,早稲田大学, 2018年3月20日)
  • 平成30年度東京大学工学系研究科長賞(研究)、電気系工学専攻優秀修士論文賞 受賞 論文題目 “Giant gate-controlled proximity magnetoresistance in semiconductor-based ferromagnetic /nonmagnetic bilayers”  
  • 2020年秋季応用物理学会 講演奨励賞 受賞 瀧口耕介, 若林 勇希,入江 宏,クロッケンバーガー ヨシハル,大塚 琢馬,澤田 宏,ニコラエフ セルゲイ,ダス ヘナ,田中 雅明,谷保 芳孝,山本 秀樹 ; 「強磁性ペロブスカイト酸化物SrRuO3 高品質薄膜中でのワイルフェルミオンを示す量子伝導現象 」, (第49回応用物理学会秋季学術講演会, 8a-Z07-2 ,オンライン, 2020年9月8日), NanoQuineでの紹介

Presentation 発表

International Conference 国際会議 ▼
  • K. Takiguchi, L. D. Anh, T, Chiba, T. Koyama, D. Chiba and M. Tanaka; “Giant gate-controlled proximity magnetoresistance in semiconductor- based ferromagnetic/nonmagnetic bilayers” The 10th International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology, Chicago, 23-27 June 2019
  • K. Takiguchi, L. D. Anh, T, Chiba, T. Koyama, D. Chiba and M. Tanaka; “Giant gate-controlled proximity magnetoresistance in semiconductor- based ferromagnetic/nonmagnetic bilayers” Compound Semiconductor Weeks 2019, WeD2-6, Nara, Japan, 19-23 May 2019
  • K. Takiguchi, L. D. Anh, T. Koyama, D. Chiba and M. Tanaka; “Giant gate-controlled proximity magnetoresistance in semiconductor- based ferromagnetic/nonmagnetic bilayers” Center for Spintronics Research Network Annual Workshop, P6, Osaka, Japan, 13-15 December 2018
  • K. Takiguchi, L. D. Anh, T. Koyama, D. Chiba and M. Tanaka; “Large anisotropic magnetoresistance induced by a proximity effect in an InAs/(Ga,Fe)Sb quantum well heterostructure” The 11th Vietnam – Japan Scientific Exchange Meeting, S04MSE03, Sendai, Japan, 15th September 2018
  • K. Takiguchi, L. D. Anh, K. Okamoto, T. Takeda, T. Koyama, D. Chiba and M. Tanaka; “Gate-voltage-controlled magnetoresistance induced by a proximity effect in (Ga,Fe)Sb / InAs bilayer heterostructures”, 10th International Conference on Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Solids, ThO17, Linz, Austria, 5-9 August 2018
  • Kosuke Takiguchi, Yuki K. Wakabayashi, Kohei Okamoto, Masaaki Tanaka, and Shinobu Ohya;“Fe concentration dependence of tunneling magnetoresistance in magnetic tunnel junctions using group-IV ferromagnetic semiconductor GeFe”, The Vietnam – Japan Scientific Exchange Meeting 2017, B-04, Tokyo, Japan, 9th September, 2017.
  • Kosuke Takiguchi, Yuki K. Wakabayashi, Kohei Okamoto, Yoshisuke Ban, Masaaki Tanaka, and Shinobu Ohya;”Increase of tunneling magnetoresistance in trilayer structures composed of group-IV ferromagnetic semiconductor Ge1-xFex, MgO, and Fe”, The 9th International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology, Poster No. 114, Fukuoka, Japan, 4-8 June, 2017

Domestic Conference 国内会議 ▼
  • K. Takiguchi, L. D. Anh, T. Chiba, and M. Tanaka “Giant rectification effect in semiconductor-based non-magnetic InAs / ferromagnetic (Ga,Fe)Sb bilayer heterostructures” 第80回秋季応用物理学会 北海道大学 18a-E216-2 2019年9月16日
  • K. Takiguchi, L. D. Anh, K. Okamoto, T. Takeda, T. Koyama, D. Chiba and M. Tanaka; “Large anisotropic magnetoresistance induced by a proximity effect in an InAs / (Ga,Fe)Sb quantum well heterostructure”, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 20a-D104-8 ,早稲田大学, 2018年3月20日
  • 瀧口耕介、若林勇希、岡本浩平、伴芳祐、田中雅明、大矢忍;“Increase of tunneling magnetoresistance in trilayer structures composed of group-IV ferromagnetic semiconductor Ge1-xFex, MgO, and Fe”,第64回応用物理学会春季学術講演会,15a-501-3, パシフィコ横浜、2017年3月15日

研究室紹介ビデオ【日本語】

Lab introduction video 【English】

アイン先生・近未来体験(5月祭)(2:07:26~)

狂ATE FUTURE 博士3年(当時)瀧口耕介・インタビュー動画