東京大学 田中・大矢研究室のホームページへようこそ。
当研究室では、スピンエレクトロニクスを中心とした研究を行っています。
研究室紹介ビデオ [You Tube]【日本語版】
Introduction Video [You Tube] (English)
お知らせ
2011年
-
矢田慎介氏が下記論文により、応用物理学会論文賞「応用物理学会論文奨励賞」
を受賞し、2011年第72回秋季応用物理学会学術講演会にて授賞式および受賞記念
講演を行いました。
Single-Crystalline Ferromagnetic Alloy Semiconductor Ge1－xMnx Grown on Ge(111) Shinsuke Yada, Ryohei Okazaki, Shinobu Ohya, and Masaaki Tanaka Appl. Phys. Express 3 (2010) 123002.
JSAP OUTSTANDING PAPER AWARD 2011, APEX/JJAP YOUNG SCIENTIST AWARD -
東京大学グローバルCOEの代表的な研究成果として、当研究室のスピントロニク
スに関する研究成果が
東京大学のホームページ
に掲載されました。
A New Spin on Semiconductors - Spintronics Research Opens the Way to New Semiconductor Technology -
東京大学電気系学科優秀卒業論文賞および工学部長賞 レ デゥック アイン (Le Duc Anh) 2011年3月
卒業論文「新規強磁性半導体(In,Fe)Asの結晶成長およびその伝導特性と磁気特性の評価」 -
「強磁性半導体GaMnAsにおいてフェルミ準位の位置とバンド構造を系統的に解明
した研究成果」が英国科学誌ネイチャー・フィジックス（2011年2月6日電子版）
に掲載されたほか、さまざまなメディアで報道された。
Shinobu Ohya, Kenta Takata, Masaaki Tanaka, "Nearly non-magnetic valence band of the ferromagnetic semiconductor GaMnAs" Nature Physics 7, 342-347 (2011). -
東京大学よりプレスリリース
http://www.u-tokyo.ac.jp/public/public01_230207_j.html
http://www.u-tokyo.ac.jp/public/pdf/230207.pdf - 日刊工業新聞 ３月３日付２２面 ガリウム・マンガン・ヒ素半導体 強磁性発現の構造発見
-
東京大学新聞 ３月３日付 １面 強磁性半導体 基礎構造を解明
http://www.utnp.org/2011/03/post_1975.html -
東大、様々な強磁性半導体GaMnAs試料においてフェルミ準位の位置とバンド構造を系統的に解明
日経プレスリリース -
東大、強磁性半導体GaMnAs試料においてフェルミ準位位置とバンド構造を解明
マイコミジャーナル -
東大、強磁性半導体GaMnAs試料においてフェルミ準位位置とバンド構造を解明
YAHOO! Japan ニュース -
東大、強磁性半導体GaMnAs試料においてフェルミ準位位置とバンド構造を解明
chem-index -
東大、強磁性半導体GaMnAs試料においてフェルミ準位位置とバンド構造を解明
Gooマネー -
「強磁性半導体GaMnAsにおいてフェルミ準位の位置とバンド構造を系統的に解明
した研究成果」が英国科学誌ネイチャー・フィジックスに掲載され、
Nature Physics誌のnews & viewsで取り上げられました。
"Dilute magnetic semiconductors, Hidden order revealed", Nature Physics 7, pp.285-286 (2011).
http://www.nature.com/nphys/journal/v7/n4/full/nphys1971.html - メンバー、発表論文、研究活動を更新しました 2011年2月
2010年
-
共鳴鳴トンネルスペクトロスコピーによる強磁性半導体GaMnAsの価電子帯構造の解明に関する研究成果が米国物理学会誌 Physical Review Letters に掲載され
ました。
Shinobu Ohya, Iriya Muneta, Pham Nam Hai, and Masaaki Tanaka.
"Valence-Band Structure of the Ferromagnetic Semiconductor GaMnAs Studied by Spin-Dependent Resonant Tunneling Spectroscopy", Physical Review Letters 104, 167204 (2010).
http://prl.aps.org/abstract/PRL/v104/i16/e167204 -
東京大学電気系学科優秀卒業論文賞および電気系学科長賞 高田健太 2010年3月23日
卒業論文「Ⅲ-Ⅴ族強磁性半導体(Ga,Mn)As表面層における共鳴トンネル分光」 -
田中・大矢研究室の「金属ナノ微粒子で１０マイクロ秒と世界最長のスピン
緩和時間を観測した研究成果」が英国科学誌ネイチャー・ナノテクノロジーに掲載
されたほか、さまざまなメディアで報道されました。
Pham Nam Hai, Shinobu Ohya, and Masaaki Tanaka. "Long spin-relaxation time in a single metal nanoparticle", Nature Nanotechnology 5, 593-596 (2010).
http://www.nature.com/nnano/journal/v5/n8/abs/nnano.2010.130.html -
金属ナノ微粒子における長いスピン緩和時間を観測
http://www.u-tokyo.ac.jp/public/pdf/220705.pdf
（東京大学よりプレスリリース、2010年7月5日） -
東大、金属ナノ微粒子で１０マイクロ秒と世界最長の「スピン緩和時間」観測
日刊工業新聞、2010年7月12日掲載
http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720100712eaac.html -
東大、金属ナノ微粒子における長いスピン緩和時間を観測
日経プレスリリース、2010年7月5日
http://release.nikkei.co.jp/detail.cfm?relID=255610 -
金属ナノ微粒子における長いスピン緩和時間を観測
Nanotech Japan 2010.7.20
https://nanonet.nims.go.jp/modules/news/article.php?a_id=872 -
東大、金属ナノ微粒子で10μsのスピン緩和時間の観測に成功
マイコミジャーナル 2010/07/07
http://journal.mycom.co.jp/news/2010/07/07/002/index.html -
東大、金属ナノ微粒子で１０マイクロ秒と世界最長の「スピン緩和時間」観測
アクティブサイエンスレビュー 2010年7月15日
http://sci-review.activeray-sci.com/?eid=1597786 -
東京大学低温センター成果発表会 ベストプレゼンテーション賞 秋山了太 2010年3月4日
秋山了太、ファムナムハイ、大矢忍、田中雅明
”MnAs強磁性微粒子を含む半導体へテロ接合 －スピン起電力と巨大磁気抵抗効果”
東京大学低温センター成果発表会、東京大学、2010年3月4日． -
Editors' Choice from APEX and JJAP
Single-Crystalline Ferromagnetic Alloy Semiconductor Ge1-xMnx Grown on Ge(111) by Shinsuke Yada, Ryohei Okazaki, Shinobu Ohya, and Masaaki Tanaka Appl. Phys. Express 3 (2010) 123002 http://apex.jsap.jp/link?APEX/3/123002/ View Figure 2: http://apex.jsap.jp/alert/img-figs/3/APEX-3-123002_Fig2_large.gif
2009年
- 40th International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2008) Young Researcher Award、Pham Nam Hai
2009年9月 41st SSDMにて受賞式
受賞論文 Pham Nam Hai, Shinobu Ohya, and Masaaki Tanaka
“Huge Magnetoresistance Effect in Semiconductor based Nanostructures with Zinc-blende MnAs Nanoparticles”
presented at 40th International Conference on Solid State Devices and Materials, Tsukuba, September 24-26, 2008. - 東京大学総長賞、総長特別賞、東京大学工学系研究科長賞・最優秀賞
ファムナムハイ 2009年3月23日
博士論文「Spin dependent transport phenomena in III-V semiconductor heterostructures with ferromagnetic MnAs nano-scale particles
（ナノスケール強磁性MnAs微粒子を含むIII-V半導体へテロ構造におけるスピン依存伝導現象の研究）」
- 東京大学電気系学科優秀卒業論文賞 王哲 2009年3月24日
卒業論文「閃亜鉛鉱型MnAs微粒子を含む半導体へテロ構造における起電力現象の観測」
- メンバー、発表論文、研究活動を更新しました 2009年9月
- 田中研究室の研究成果「スピン起電力と超巨大磁気抵抗効果の実現」
英国科学誌ネイチャーに掲載され、さまざまなメディアで報道されました。
Pham Nam Hai, Shinobu Ohya, Masaaki Tanaka, Stewart E.Barnes, Sadamichi Maekawa "Electromotive force and huge magnetoresistance in magnetic tunnel junctions" Nature 458, pp.489-492 (2009).
Nature advance online publication 8 March 2009
http://www.nature.com/nature/journal/vaop/ncurrent/abs/nature07879.html - 読売新聞 2009年3月9日夕刊 近くに磁石置くだけで発電 「スピン起電力」実現 東大チーム
- Yomiuri Online 近くに磁石置くだけで発電「スピン起電力」…東大チーム http://www.yomiuri.co.jp/science/news/20090309-OYT1T00706.htm
- 日刊工業新聞 2009年3月9日 「スピン起電力」実証 東北大、東大 トンネル実験で
- 化学工業日報 2009年3月9日 「スピン起電力」効果を初観測 東大など
- 東京大学 学術情報 2009年3月12日 電気・磁気変換の新原理「スピン起電力」の実現に成功－ナノデバイスにおける新しい電磁気学と「超」巨大磁気抵抗効果の発見－ http://www.u-tokyo.ac.jp/public/pdf/210309.pdf
- 「電気・磁気変換の新原理“スピン起電力”の実現に成功」 ―ナノデバイスにおける新しい電磁気学と「超」巨大磁気抵抗効果の発見― http://nanonet.mext.go.jp/modules/news/article.php?a_id=537
- 日本経済新聞 2009年3月23日 静磁場で電気流れる新材料 東大・東北大など
- 東京大学総長賞および総長特別賞、東京大学工学系研究科長賞・最優秀賞 ファムナムハイ 2009年3月23日 博士論文「Spin dependent transport phenomena in III-V semiconductor heterostructures with ferromagnetic MnAs nano-scale particles （ナノスケール強磁性MnAs微粒子を含むIII-V半導体へテロ構造におけるスピン依存伝導現象の研究）」
- 東京大学電気系学科優秀卒業論文賞 王哲 2009年3月24日 卒業論文「閃亜鉛鉱型MnAs微粒子を含む半導体へテロ構造における起電力現象の観測」
- 40th International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2008) Young Researcher Award、Pham Nam Hai 2009年9月 41st SSDMにて受賞 受賞論文 Pham Nam Hai, Shinobu Ohya, and Masaaki Tanaka “Huge Magnetoresistance Effect in Semiconductor based Nanostructures with Zinc-blende MnAs Nanoparticles” presented at 40th International Conference on Solid State Devices and Materials, Tsukuba, September 24-26, 2008.
- NPG Asia Materials, featured highlight "Magnetic nanostructures: Faraday's law evolves" (Published online 22 June 2009)
- http://www.natureasia.com/asia-materials/highlight.php?id=464 オンラインジャーナル Nature Publishing Group Asia Materials のハイライト記事(featured highlight)に、 「磁性ナノ構造：ファラデーの法則は進化する」と題する田中研究室の研究成果が紹介された。
2008年
- メンバーを更新しました 2008年12月
- 東京大学工学系研究科長賞 周藤悠介 2008年3月 博士論文「A New Group-IV Ferromagnetic Semiconductor Ge1-xFex: Epitaxial Growth, Crystal Structure, Magnetic Properties, and Heterostructures （新しいIV族強磁性半導体Ge1-xFex薄膜の研究：エピタキシャル成長、結晶構造、磁性、およびヘテロ構造）」
2007年
- メンバーを更新しました 2007年5月
- 応用物理学会講演奨励賞、2007年3月、大矢忍
下記の発表に対して
大矢忍、ファムナムハイ、水野洋輔、田中雅明
"GaMnAs量子井戸へテロ構造における量子サイズ効果とトンネル磁気抵抗効果"
2006年（平成18年）秋季第67回応用物理学会学術講演会, 立命館大学びわこくさつキャンパス、2006年8月29日-9月1日. - 電気系専攻優秀修士論文賞 矢田慎介 2007年3月
修士論文「低温分子線エピタキシー法によるMnドープGe強磁性薄膜の成長、構造制御、および磁気特性の評価」 - 工学部長賞および東京大学電気系学科優秀卒業論文賞 大野賢一 2007年3月
卒業論文「高Mn組成を有するIII-V族強磁性半導体GaMnAsの作製および磁気特性」 - 新年あけましておめでとうございます。(2007/1/4)
2006年
- 田中雅明教授が第3回日本学術振興会賞を受賞しました。(2006/12/28)
http://www.jsps.go.jp/jsps-prize/index.html
http://www.jsps.go.jp/jsps-prize/kettei.html
http://www.jsps.go.jp/jsps-prize/ichiran_3rd.html
2006年の研究室のスタッフ・大学院学生の受賞は以下のとおりです - 第20回先端技術大賞 文部科学大臣賞（学生部門最優秀賞） ファムナムハイ
「半導体と強磁性体からなる複合ナノ構造の形成と機能制御 - MnAs微粒子を含む半導体ヘテロ構造におけるスピン依存トンネル現象- 」
に対して。2006年7月4日、東京プリンスホテルにて高円宮妃殿下ご臨席のもと授賞式。 - 東京大学工学系研究科長賞 および 電気系専攻修士論文賞 ファムナムハイ 2006年3月
修士論文「Spin-dependent Tunneling in Heterostructures with Ferromagnetic MnAs Nano-scale Particles and Its Applications（ナノスケール強磁性MnAs微粒子を含むヘテロ構造におけるスピン依存トンネル 現象とその応用） 」および優秀な成績に対して。 - 応用物理学会講演奨励賞、2006年3月、周藤悠介
下記の発表に対して
周藤悠介、田中雅明、菅原聡 "強磁性Ge1-xFex薄膜のエピタキシャル成長と磁気特性"
2005年（平成17年）秋季第66回応用物理学会学術講演会、10aZQ-8, 徳島大学、2005年9月7日-11日. - ホームページをリニューアルしました。(2009/9/14)