東京大学 大学院工学系研究科 総合研究機構(電気系工学専攻) 大矢研究室

スピンを用いたエレクトロニクスに向けた

新規物質/新規物理の開拓と応用

従来のエレクトロニクスでは、主に電子の「電荷」の自由度が利用されてきました。一方、電子には「スピン」というもうひとつの自由度が存在します。大矢研究室では、半導体や酸化物などの様々な物質中のスピン自由度を積極的に用いて、スピンを用いた新しいエレクトロニクスである「スピントロニクス」に関連する新たな物質や物理現象を開拓するとともに、それらを応用したデバイスの実現を目指しています。

 

配属をご希望の(主に外部の)方
電気系工学専攻のウェブサイトに掲載された若林勇希さん(博士課程修了)の「先輩からのメッセージ」もご参照下さい。

 

ニュース

2017.10

瀧口耕介君(学部卒)が卒業研究で行った研究課題「Fe/MgO/強磁性半導体GeFe三層構造におけるトンネル磁気抵抗効果の増大」に関する論文が AIP Advances から出版されました。
2017.09

スピンポンピングを用いて、単結晶の鉄からトポロジカル結晶絶縁体(SnTe)にスピン注入を行い、この材料系において、初めてスピン流を電流に変換することに成功しました。本成果は、 Physical Review B に掲載されました。東京大学大学院理学系研究科の秋山了太先生と、筑波大学物性分子工学専攻の黒田眞司先生のグループとの共同研究成果です。
2017.09 鈴木亮太君(M2)が第78回応用物理学会秋季学術講演会(福岡)で成果発表を行いました。
2017.08

Le Duc Anh助教と岡本昂君(学部卒)が、ペロブスカイト酸化物LaSrMnO3とLaAlO3のヘテロ界面における特異な磁気異方性の存在を初めて明らかにしました。本成果は、Nature Publishing Group のオンライン科学雑誌 Scientific Reports に掲載されました。電気系工学専攻の田畑仁先生および関宗俊先生との共同研究成果です。
2017.07

電気二重層を用いた強磁性半導体GaMnAsをベースとした縦型スピントランジスタに関する論文が、Nature Publishing Group のオンライン科学雑誌 Scientific Reports に掲載されました。本研究は、物理工学専攻の岩佐義宏先生と共同で行いました。
2017.06 石井友章君(D3)、瀧口耕介君(学部卒M1)が、国際学会 SpinTech IX International School and Conference(福岡)で成果発表を行いました。
2017.05 真藤達也君(修士卒)が電気系工学専攻の田畑仁先生および関宗俊先生と共同で行ったペロブスカイト酸化物LaMnO3トンネル障壁を用いたLaSrMnO3磁気トンネル接合に関する研究成果が、 Applied Physics Letters に掲載されました。
2017.05

量子閉じ込め効果を用いて磁気異方性を制御できる新たな可能性を発見しました。本成果は 英国科学誌 Nature Communications に掲載されました。 UTokyo Research News 「磁性をデザインする新たな手法を開拓」
2017.03 石井友章君(D2)、竹嶋健人君(M2)、岡本昂君(B4)、瀧口耕介君(B4)が第64回応用物理学会春季学術講演会(パシフィコ横浜)で成果発表を行いました。
2017.03 若林勇希君(D3)のApplied Physics Express(APEX)誌に掲載されたFe/MgO/強磁性半導体GeFe三層構造におけるトンネル磁気抵抗効果の論文が、APEX誌のHighlights of 2016に選ばれました。
2017.02 博士論文審査で、若林勇希君(D3)の電気系工学専攻長賞の受賞が決まりました。
2017.01 若林勇希君(D3)が、理学系研究科藤森研究室との共同研究により、大型放射光施設SPring-8を利用して、Ge半導体ベースグラニュラー薄膜GeMnにおける大きな磁気抵抗効果の起源を解明することに成功し、その成果が Physical Review B に掲載されました。

 

 
2016.11 若林勇希君(D3) が応用物理学会応用電子物性分科会・スピントロニクス研究会共催研究会で招待講演を行いました。
2016.10 若林勇希君(D3) のFe/MgO/強磁性半導体GeFe三層構造におけるトンネル磁気抵抗効果の論文が、Applied Physics Express(APEX)誌に掲載され、APEX誌のSpotlightsに選ばれました。
2016.10 田中研の金木俊樹君(D2)と物理工学専攻の千葉先生および小山先生との共同研究による成果として、強磁性半導体GaMnAsを用いたCIP型スピンバルブ電界効果トランジスタの論文がApplied Physics Lettersに掲載されました。
2016.09 Le Duc Anh助教、若林勇希君(D3)、石井友章君(D2)が第77回応用物理学会秋季学術講演会(新潟 朱鷺メッセ)で口頭発表を行いました。
2016.08 Le Duc Anh助教と若林勇希君(D3)が国際学会PASPS9でポスター発表を行い、ともに Young Researcher Best Poster Awardを受賞 しました。
2016.08 真藤達也君(M2)が国際学会ICCGE-18で口頭発表を行いました。
2016.06 半導体GaAsに磁性不純物Mnを添加することにより価電子帯の正孔の波動関数の秩序が”回復”する特異な現象を初めて観測しました。本成果は 英国科学誌 Nature Communications に掲載されました。 → UTokyo Research News 「半導体の基礎物理学における新たな発見」
2016.06 石井友章君(D2)が、電気系工学専攻の川添忠先生と大津元一先生および東北大学の橋本佑介先生と共同で、超高速ポンププローブ光学測定を用いて強磁性半導体GaMnAsの電子状態を解明することに成功しました。その成果が Physical Review B Rapid Communications に掲載されました。
2016.03 若林勇希君(D2)が、理学系研究科藤森研究室との共同研究により、大型放射光施設SPring-8を利用して、強磁性半導体GeFe中に局所的な室温強磁性領域が存在することを初めて明らかにしました。本成果は Nature Publishing Group のオンライン科学雑誌 Scientific Reports に掲載されました。
2016.03 芦原渉君(M2)、真藤達也君(M1)、岡本浩平君(B4)が第63回応用物理学会春季学術講演会(東京工業大学)で発表を行いました。
2016.03 若林勇希君(D2)と石井友章君(D1)が米国物理学会APSのMarchミーティング(米国 Baltimore)で口頭発表を行いました。
2016.02 岡本浩平君(B4)が優秀卒業論文賞(電気電子工学科)を受賞しました。

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