III-V MBE(分子線エピタキシー, Molecular Beam Epitaxy)
| 底面圧 | 1×10-10Torr |
| ソース | Ga,Al,In（III族） Si, Be (ドーパント) Mn, Fe (遷移金属，磁性元素として） As, Sb（V族) Valved craker cell 500cc |
| その場観察 | 反射高速電子線回折(Reflection High Energy Electron Diffraction , RHEED) |
IV族 MBE(分子線エピタキシー, Molecular Beam Epitaxy)
EpiQuest製
| ソース | Si, Ge（IV族） B (ドーパント) Mn, Co, Fe (遷移金属，磁性元素として） |
| その場観察 | 反射高速電子線回折(Reflection High Energy Electron Diffraction , RHEED) |
極低温磁気伝導特性測定装置
| 測定温度範囲 | ： | 300mK ~ 室温 |
| 測定磁場強度 | ： | １Tまで |
低温磁気伝導特性測定装置（3台）
| 温度範囲 | ： | 3.5K～室温 |
| 測定磁場強度 | ： | １Tまで |
| 磁石回転モーター付 |
磁気光学効果測定装置
日本分光社(JASCO)製 J700
| 測定法 | ： | 円偏光変調法 |
| 光検出器 | ： | GaAs, S1 Photomultiplier測定波長範囲0.2-1.1μm |
| 磁場強度 | ： | 電磁石で最大1.2T |
| 測定温度範囲 | ： | 4.5K～室温 |
| 他 | ： | Arレーザー（クラス４） |
磁気光学効果測定装置 長波長測定用
| 測定法 | 円偏光変調法， ファラデー回転角， 磁気円二色性 |
| 光検出器 | InSb PD, InGaAs PIN PD, InGaAs Photomultiplier |
| 測定波長範囲 | 0.7-2.0μm |
| 磁場強度 | 電磁石で最大1.2T |