査読付き原著論文

  • 1) Yoshisuke Ban, Yuki K. Wakabayashi, Ryosho Nakane, and Masaaki Tanaka,“Impurity bandconduction in group-IV ferromagnetic semiconductor Ge1-xFex with nanoscale fluctuations in Fe concentration”, accepted in J. Appl. Phys.
  • 2) Tae-Eon Bae, Kimihiko Kato, Ryota Suzuki, Ryosho Nakane, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi, "Influence of impurity concentration in Ge sources on electrical properties of Ge/Si hetero-junction tunneling field-effect transistors", Appl. Phys. Lett. 113, pp. 062103/1-4 (2018).
  • 3) Ryosho Nakane, Shoichi Sato, Takato Hada, and Masaaki Tanaka, “Spin transport and spin accumulation signals in Si studied in tunnel junctions with a Fe/Mg ferromagnetic multilayer and an amorphous SiOxNy tunnel barrier”, Appl. Phys. Lett. 112, pp. 182404/1-4 (2018).
  • 4) Ryosho Nakane, Gouhei Tanaka, and Akira Hirose, “Reservoir Computing with Spin Waves Excited in a Garnet Film”, IEEE ACCESS 6, pp.4462 ? 4469 (2018).
  • 5) Tae-Eon Bae, Yuki Wakabayashi, Ryosho Nakane, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi, "Effects of annealing gas and drain doping concentration on electrical properties of Ge-source/Si-channel heterojunction tunneling FETs", Jpn. J. Appl. Phys. 57, 04FD11 (2018).
  • 6) Shoichi Sato, Ryosho Nakane, Takato Hada, and Masaaki Tanaka, “Spin injection into silicon in three-terminal vertical and four-terminal lateral devices with Fe/Mg/MgO/Si tunnel junctions having an ultrathin Mg insertion layer”, Phys Rev. B 96, pp. 235204/1-10 (2017).
  • 7) Yuki K. Wakabayashi, Yosuke Nonaka, Yukiharu Takeda, Shoya Sakamoto, Keisuke Ikeda, Zhendong Chi, Goro Shibata, Arata Tanaka, Yuji Saitoh, Hiroshi Yamagami, Masaaki Tanaka, Atsushi Fujimori, Ryosho Nakane, "Electronic structure and magnetic properties of magnetically dead layers in epitaxial CoFe2O4/Al2O3/Si(111) films studied by X-ray magnetic circular dichroism", Phys. Rev. B 96, pp. 104410/1-11 (2017).
  • 8) Junkyo Suh, Ryosho Nakane, Noriyuki Taoka, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi, "Effects of additional oxidation after Ge condensation on electrical properties of germanium-on-insulator p-channel MOSFETs", Solid-State Electron. 117, pp. 77-87 (2016).
  • 9) Yasunao Katayama, Toshiyuki Yamane, Daiju Nakano, Ryosho Nakane, and Gouhei Tanaka,"Wave-Based Neuromorphic Computing Framework for Brain-Like Energy Efficiency and Integration", IEEE Transactions on Nanotechnology 15, pp. 762-769 (2016).
  • 10) Shoichi Sato, Ryosho Nakane, and Masaaki Tanaka, "Origin of the broad three-terminal Hanle signals in Fe/SiO2/Si tunnel junctions", Appl. Phys. Lett.107, pp. 032407/1-5 (2015).
  • 11) Shinichi Takagi, Sang-Hyeon Kim, Yuki Ikku, Masafumi Yokoyama, Ryosho Nakane, Jian Li, Yung-Chung Kao, Mitsuru Takenaka, "High Performance III-V-on-Insulator MOSFETs on Si Realized by Direct Wafer Bonding Applicable to Large Wafer Size", ECS Transactions 66, pp. 27-35 (2015).
  • 12) Ryosho Nakane, Satoshi Sugahara, and Masaaki Tanaka, “Structural and magnetic properties of ferromagnetic Fe1-xSix (0.18 ? x ? 0.33) films formed by rapid thermal annealing”, J. Appl. Phys. 117, pp. 133906/1-10 (2015).
  • 13) Dali Sun, Hiroyasu Yamahara, Ryosho Nakane, Hiroaki Matsui, Hitoshi Tabata, “Hydroxyl radical and thermal annealing on amorphous InGaZnO4 films for DNA immobilizations”, Colloids and Surfaces B: Biointerfaces 130, pp.119-125 (2015).
  • 14) Minsoo Kim, Yuki Wakabayashi, Masafumi Yokoyama, Ryosho Nakane, Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi, “Ge/Si Hetero-Junction Tunnel Field-Effect Transistors and Their Post Metallization Annealing Effect”, IEEE Trans. Electron Devices 62, pp. 9-15 (2015).
  • 15) Ryosho Nakane, Yusuke Shuto, Hiroaki Sukegawa, Zhenchao Wen, Shin-ichiro Yamamoto, Seiji Mitani, Masaaki Tanaka, Kouichirou Inomata, and Satoshi Sugahara,” Fabrication of pseudo-spin-MOSFETs using a multi-project wafer CMOS chip”, Solid-State Electron 102, pp. 52?58 (2014).
  • 16) Yoshisuke Ban, Yuki Wakabayashi, Ryota Akiyama, Ryosho Nakane, and Masaaki Tanaka, “Carrier transport properties of the Group-IV ferromagnetic semiconductor Ge1-xFex with and without boron doping”, AIP Advances 4, pp. 097108/1-8 (2014).
  • 17) SangHyeon Kim, Yuki Ikku, Masafumi Yokoyama, Ryosho Nakane, Jian Li, Yung-Chung Kao, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi, “Direct wafer bonding technology for large-scale InGaAs-on-insulator transistors”, Appl. Phys. Lett. 105, pp. 043504/1-3 (2014).
  • 18) SangHyeon Kim, Masafumi Yokoyama, Ryosho Nakane, Osamu Ichikawa, Takenori Osada, Masahiko Hata, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi, “High Performance Tri-gate Extremely-thin-Body InAs-on-Insulator MOSFETs with high short channel effect immunity and Vth tenability”, IEEE Trans. Electron Devices 61, pp. 1354 ? 1360 (2014).
  • 19) SangHyeon Kim, Masafumi Yokoyama, Ryosho Nakane, Osamu Ichikawa, Takenori Osada, Masahiko Hata, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi, “Experimental study on vertical scaling of InAs-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors”, Appl. Phys. Lett. 104, pp. 263507/1-4 (2014).
  • 20) Minsoo Kim, Younghyun Kim, Masafumi Yokoyama, Ryosho Nakane, SangHyeon Kim, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi, “Tunnel field-effect transistors with germanium/strained-silicon hetero-junctions for low power applications”, Thin Solid Films 557, pp.298?301 (2014).
  • 21) SangHyeon Kim, Masafumi Yokoyama, Yuki Ikku, Ryosho Nakane, Osamu Ichikawa, Takenori Osada, Masahiko Hata, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi, “Physical understanding of electron mobility in asymmetrically strained InGaAs-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors fabricated by lateral strain relaxation”, Appl. Phys. Lett. 104 , pp. 113509/1-4 (2014).
  • 22) SangHyeon Kim, Masafumi Yokoyama, Noriyuki Taoka, Ryosho Nakane, Tetsuji Yasuda, Osamu Ichikawa, Noboru Fukuhara, Masahiko Hata, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi, “Sub-60 nm Extremely-thin Body InxGa1-xAs-On-Insulator MOSFETs on Si with Ni-InGaAs Metal S/D and MOS Interface Buffer Engineering and its scalability”, IEEE Trans. Electron Devices 60(8), pp. 2512-2517 (2013).
  • 23) SangHyeon Kim, Masafumi Yokoyama, Noriyuki Taoka, Ryosho Nakane, Tetsuji Yasuda, Osamu Ichikawa, Noboru Fukuhara, Masahiko Hata, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi, “Experimental Study on Electron Mobility in InxGa1-xAs-on-insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with In content modulation and MOS interface buffer engineering”, IEEE Nanotechnology 12(4), pp. 621-628 (2013).
  • 24) Ryosho Nakane, Shoichi Sato, Shun Kokutani, and Masaaki Tanaka, “Appearance of Anisotropic Magnetoresistance and Electric Potential Distribution in Si-based Multi-terminal Devices with Fe Electrodes”, Magnetics Lett. 3, pp. 3000404/1-4 (2012).
  • 25) SangHyeon Kim, Masafumi Yokoyama, Noriyuki Taoka, Ryosho Nakane, Tetsuji Yasuda, Osamu Ichikawa, Noboru Fukuhara, Masahiko Hata, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi, “Strained In0.53Ga0.47As metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with epitaxial based biaxial strain “, Appl. Phys. Lett. 100, pp.193510/1-3 (2012).
  • 26) SangHyeon Kim, Masafumi Yokoyama, Noriyuki Taoka, Ryosho Nakane, Tetsuji Yasuda, Osamu Ichikawa, Noboru Fukuhara, Masahiko Hata, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi, "In0.53Ga0.47As metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with self-aligned metal source/drain using Co-InGaAs alloys", Appl. Phys. Lett. 100, pp. 073504/1-3 (2012).
  • 27) SangHyeon Kim, Masafumi Yokoyama, Noriyuki Taoka, Ryo Iida, Sunghoon Lee, Ryosho Nakane, Yuji Urabe, Noriyuki Miyata1, Tetsuji Yasuda, Hisashi Yamada, Noboru Fukuhara, Masahiko Hata, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi, “Electron Mobility Enhancement of Extremely Thin Body In0:7Ga0:3As-on-Insulator Metal?Oxide?Semiconductor Field-Effect Transistors on Si Substrates by Metal?Oxide?Semiconductor Interface Buffer Layers”, Applied Physics Express 5, pp. 01420/1-3 (2012).
  • 28) Junkyo Suh, Ryosho Nakane, Noriyuki Taoka, Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi, “Highly Strained-SiGe-On-Insulator p-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effective Transistors Fabricated by Applying Ge Condensation Technique to Strained-Si-On-Insulator Substrates”, Appl. Phys. Lett. 99, pp. 142108/1-3 (2011).
  • 29) SangHyeon Kim, Masafumi Yokoyama, Noriyuki Taoka, Ryo Iida, Sunghoon Lee, Ryosho Nakane, Yuji Urabe, Noriyuki Miyata, Tetsuji Yasuda, Hisashi Yamada, Noboru Fukuhara, Masahiko Hata, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi, “High Performance Extremely Thin Body InGaAs-on-Insulator Metal?Oxide?Semiconductor Field-Effect Transistors on Si Substrates with Ni?InGaAs Metal Source/Drain”, Applied Physics Express 4, pp. 114201/1-3 (2011).
  • 30) Yosuke Nakakita, Ryosho Nakane, Takashi Sasada, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi, “Interface-Controlled Self-Align Source/Drain Ge p-Channel Metal?Oxide?Semiconductor Field-Effect Transistors Fabricated Using Thermally Oxidized GeO2 Interfacial Layers”, Jpn. J. Appl. Phys. 50, pp. 010109-010116 (2011).
  • 31) SangHyeon Kim, Masafumi Yokoyama, Noriyuki Taoka, Ryo Iida, Songhoon Lee, Ryosho Nakane, Yuji Urabe, Noriyuki Miyata, Testuji Yasuda, Hisashi Yamada, Noboru Fukuhara, Masashiko Hata, Mitsuru Takenaka and and Shinichi Takagi, “Self-aligned Metal Source/Drain InP n-Metal-Oxide- Semiconductor Field-Effect Transistors using Ni-InP metallic alloys”, Appl. Phys. Lett. 98, pp. 243501/1-3 (2011).
  • 32) Yota Takamura, Takuya Sakurai, Ryosho Nakane, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara. "Epitaxial germanidation of full-Heusler Co2FeGe alloy thin films formed by rapid thermal annealing", J. Appl. Phys. 109, pp. 07B768/1-3 (2011).
  • 33) SangHyeon Kim, Masafumi Yokoyama, Noriyuki Taoka, Ryo Iida, Sunghoon Lee, Ryosho Nakane, Yuji Urabe, Noriyuki Miyata, Tetsuji Yasuda, Hisashi Yamada, Noboru Fukuhara, Masahiko Hata, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi, “Self-Aligned Metal Source/Drain InxGa1-xAs n-Metal?Oxide? Semiconductor Field-Effect Transistors Using Ni?InGaAs Alloy”, Appl. Phys. Express 4 , pp. 02420/1-3 (2011).
  • 34) Ryosho Nakane, Tomoyuki Harada, Kuniaki Sugiura and Msasaaki Tanaka, “Magnetoresistance in a spin metal-oxide- semiconductor field-effect transistor (spin MOSFET) with ferromagnetic MnAs source and drain contacts”, Jpn. J. Appl. Phys. 49, pp. 113001/1-4 (2010).
  • 35) Kiyohito Morii, T. Iwasaki, Ryosho Nakane, Mitsuru Takenaka, and Shinich Takagi, “High Performance GeO2/Ge nMOSFETs with Source/Drain Junctions Formed by Gas Phase Doping”, Electron. Device Lett. 31, (10) pp.1092-1094 (2010).
  • 36) Yota Takamura, Ryosho Nakane, and Satoshi Sugahara, “Quantitative analysis of atomic disorders in full-Heusler Co2FeSi alloy thin films using x-ray diffraction with Co-K? and Cu-K? sources”, J. Appl. Phys. 107, pp. 09B111/1-3 (2010).
  • 37) Kengo Hayashi, Yota Takamura, Ryosho Nakane, and Satoshi Sugahara, “Formation of Co2FeSi/SiOxNy/Si tunnel junctions for Si-based spin transistors”, J. Appl. Phys. 107, pp. 09B104/1-3 (2010).
  • 38) Yusuke Shuto, Ryosho Nakane, Wenhong Wang, Hiroaki Sukegawa, Shuichiro Yamamoto, Masaaki Tanaka, Kouichiro Inomata, and Satoshi Sugahara, “A New Spin-Functional Metal?Oxide? Semiconductor Field-Effect Transistor Based on Magnetic Tunnel Junction Technology: Pseudo- Spin-MOSFET”, Appl. Phys. Express 3, pp. 013003/1-3 (2010).
  • 39) Yota Takamura, Ryosho Nakane, and Satoshi Sugahara, “Analysis of L21-ordering in full-Heusler Co2FeSi alloy thin films formed by rapid thermal annealing”, J. Appl. Phys. 105, pp. 07B10/1-3 (2009).
  • 40) Kiyohito Morii, Sanjeewa Dissanayake, Satoshi Tanabe, Ryosho Nakane, Mitsuru Takenaka, Satoshi Sugahara, and Shinichi Takagi, “Evaluation of Electron and Hole Mobility at Identical Metal-Oxide-Semiconductor Interfaces by using Metal Source/Drain Ge-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors”, Jpn. J. Appl. Phys. 48 (4), pp. 04C050/1-5 (2009).
  • 41) Yota Takamura, Ryosho Nakane, Hiro Munekata, and Satoshi Sugahara “Characterization of half-metallic L21-phase Co2FeSi full-Heusler alloy thin films formed by rapid thermal annealing”, J. Appl. Phys. 103, pp. 07D719/1-3 (2008).
  • 42) Shinichi Takagi, Toshifumi Irisawa, Tsutomu Tezuka, Toshinori Numata, Shu Nakaharai, Norio Hirashita, Yoshihiko Moriyama, Koji Usuda, Eiji Toyoda, Sanjeewa Dissanayake, Masato Shichijo, Ryosho Nakane, Satoshi Sugahara, Mitsuru Takenaka and Masakazu Sugiyama, "Carrier-transport- enhanced channel CMOS for improved power consumption and performance", IEEE Trans. Electron Devices 55(1), pp. 21-39 (2008).
  • 43) Y. Takamura, T. Nishijima, Y. Nagahama, R. Nakane, and S. Sugahara, “Formation of Si- and Ge-based Full-Heusler Alloy Thin Films Using SOI and GOI Substrates for the Half-Metallic Source and Drain of Spin Transistors”, ECS Transactions 16, pp.945-952 (2008).
  • 44) Takuya Hoshii, Momoko Deura, Masakazu Sugiyama, Ryosho Nakane, Satoshi Sugahara, Mitsuru Takenaka, Yoshiaki Nakano, and Shinichi Takagi, “Epitaxial Lateral Overgrowth of InGaAs on SiO2 from (111) Si Micro Channel Areas”, Physica Status Solidi C 5(9), pp. 2733-2735 (2008).
  • 45) Ryosho Nakane, Jun Kondo, Masaaki Tanaka, “Tunneling Magnetoresistance in a Mn ?-doped GaAs / AlAs / MnAs Heterostructure”, Jpn. J. Appl. Phys. 46 31, pp. L755-757 (2007).
  • 46) Shinichi Takagi, Tatsuro Maeda, Noriyuki Taoka, Masayasu Nishizawa, Yukinori Morita, Keiji Ikeda, Yoshimi Yamashita, Masashi Nishikawa, Hiroshi Kumagai, Ryosho Nakane, Satoshi Sugahara, Naoharu Sugiyama, "Gate dielectric formation and MIS interface characterization on Ge", Microelectronic Engineering, 84 9-10, pp. 2314-2319 (2007).
  • 47) Masato Shichijo, Ryosho Nakane, Satoshi Sugahara and Shinichi Takagi, “Fabrication of III-V on Insulator Structures on Si Using Micro-Channel Epitaxy With a Two-Step Growth Technique”, Jpn. J. Appl. Phys. 46 9A, pp. 5930 -5933 (2007).
  • 48) Kuniaki Sugiura, Ryosho Nakane, Satoshi Sugahara and Masaaki Tanaka, “Schottky barrier MOSFETs with epitaxial ferromagnetic MnAs/Si(001) source and drain :Postgrowth annealing and transport characteristics.”, J. Cryst. Growth 301?302, pp. 611-614 (2007).
  • 49) Takashi Uehara, Hiroshi Matsubara, Ryosho Nakane, Satoshi Sugahara, and Shinichi Takagi, “Ultra-thin Ge-on- Insulator(GOI) Metal S/D p-channel MOSFETs fabricated by low temperature MBE growth”, Jpn. J. Appl. Phys. 46 pp. 2117-2121 (2007).
  • 50) Shinichi Takagi, Tsutomu Tezuka, Toshifumi Irisawa, Shu Nakaharai, Toshinori Numata, Koji Usuda, Naoharu Sugiyama, Masato Shichijo, Ryosho Nakane and Satoshi Sugahara, “Device structures and carrier transport Properties of advanced CMOS using high mobility channels”, Solid State Electronics 51, pp. 526-536 (2007).
  • 51) Ryosho Nakane, Masaaki Tanaka, and Satoshi Sugahara, “Preparation and characterization of ferromagnetic DO3-phase Fe3Si thin films on silicon-on-insulator substrates for Si-based spin-electronic device applications”, Appl. Phys. Lett. 89, pp. 192503/1-3 (2006).
  • 52) Kuniaki Sugiura, Ryosho Nakane, Satoshi Sugahara, and Masaaki Tanaka, “Schottky barrier height of ferromagnetic thin films”, Appl. Phys. Lett. 89, pp. 072110/1-3 (2006).
  • 53) Ryosho Nakane, Jun Kondo, MiWang Yuan, Satoshi Sugahara, and Masaaki Tanaka, “Growth and magnetic properties of epitaxial metallic MnAs/NiAs/MnAs heterostructures grown on exact GaAs(111)B substrates”, J. Cryst. Growth. 278, pp. 649-654 (2005).
  • 54) Ryosho Nakane, Satoshi Sugahara and Masaaki Tanaka, “The effect post-growth annealing on the morphology and magnetic properties of MnAs thin films grown on GaAs(001) substrates ”, J. Appl. Phys. 95, pp. 6558-6561 (2004).
  • 55) Ryosho Nakane, Satoshi Sugahara and Masaaki Tanaka, “Growth and Magnetoresistance of Epitaxial Metallic MnAs/NiAs/MnAs Trilayers on GaAs(001) Substrates” , Physica E 21, pp. 911-995 (2004).
  • 56) 木村道哉・山田良樹・中根了昌・中村基訓・末岡和久・武笠幸一, ”Si3N4メンブレンマスクを用いた強磁性体微細構造の作製”, 日本応用磁気学会誌 25, pp. 91-94 (2001).
  • 57) Eiichi Hirota, Ryosho Nakane, Makoto Sawamura, Soshin Chikazumi, and Kouichi Mukasa, ”Structure of Spin Vortices in Ultra-Thin Ferromagnetic Films”, J. Magn. Soc. Japan 23, pp. 599-602 (1999).

査読付き国際会議のプロシーディング、Extended Abstract

  • 1) G. Tanaka, R. Nakane, T. Yamane, S. Takeda, D. Nakano, S. Nakagawa, A. Hirose, “Nonlinear Dynamics of Memristive Networks and its Application to Reservoir Computing”, Proc. Int. Symp. Nonlinear Theory and its Applications (NOLTA, Cancun, Dec. 4-7, Oral, Dec. 5), pp. 182-185 (2017).
  • 2) A. Hirose, S. Takeda, T. Yamane, D. Nakano, S. Nakagawa, R. Nakane, and G. Tanaka, “Complex-Valued Neural Networks to Realize Energy-Efficient Neural Networks Including Reservoir Computing”, Proc. Int. Symp. Nonlinear Theory and its Applications (NOLTA, Cancun, Dec. 4-7, Oral, Dec. 5), pp. 186-188 (2017).
  • 3) G. Tanaka, R. Nakane, T. Yamane, S. Takeda, D. Nakano, S. Nakagawa, and A. Hirose, “Waveform Classification by Memristive Reservoir Computing”, Proc. Int. Conf. Neural Information Processing (ICONIP, Guangzhou, Nov. 14-18, Oral, Nov. 15), pp. 457-465 (2017).
  • 4) A. Hirose, S. Takeda, T. Yamane, D. Nakano, S. Nakagawa, R. Nakane, and G. Tanaka, “Complex-valued neural networks for wave-based realization of reservoir computing”, Proc. Int. Conf. Neural Information Processing (ICONIP, Guangzhou, Nov. 14-18, Oral, Nov. 15), pp. 449-456 (2017).
  • 5) T. Yamane, S. Takeda, D. Nakano, G. Tanaka, R. Nakane, A. Hirose, and S. Nakagawa, “Simulation Study of Physical Reservoir Computing by Nonlinear Deterministic Time Series Analysis”, Proc. Int. Conf. Neural Information Processing (ICONIP, Guangzhou, Nov. 14-18, Oral, Nov. 15), pp. 639-647 (2017).
  • 6) G. Tanaka, R. Nakane, T. Yamane, D. Nakano, S. Takeda, S. Nakagawa and A. Hirose, "Exploiting Heterogeneous Units for Reservoir Computing with Simple Architecture", International Conference on Neural Information Processing(ICONIP 2016, Proceedings),(2016), pp. 187 -194.
  • 7) T. Yamane, S. Takeda, D. Nakano, G. Tanaka, R. Nakane, S. Nakagawa and A. Hirose, "Dynamics of Reservoir Computing at the Edge of Stability", International Conference on Neural Information Processing(ICONIP 2016, Proceedings),(2016), pp. 205-212.
  • 8) S. Takeda, D. Nakano, T. Yamane, G. Tanaka, R. Nakane, A. Hirose and S. Nakagawa, "Photonic Reservoir Computing Based on Laser Dynamics with External Feedback", International Conference on Neural Information Processing(ICONIP 2016, Proceedings),(2016), pp. 222-230.
  • 9) R. Mori, G. Tanaka, R. Nakane, A. Hirose and K. Aihara, "Computational Performance of Echo State Networks with Dynamic Synapses", International Conference on Neural Information Processing(ICONIP 2016, Proceedings),(2016), pp. 264-271.
  • 10) G. Tanaka, T. Yamane, D. Nakano, R. Nakane, and Y. Katayama, “Hopfield-Type Associative Memory with Sparse Modular Networks”, L.C. Kiong et al. (Eds.) Proc. 2014 Int. Conf. Neural Information Processing (ICONIP), Part I, Lecture Notes in Computer Science, vol. 8834, pp. 255-262 (2014).
  • 11) Minsoo Kim, Yuki Wakabayashi, Ryosho Nakane, Masafumi Yokoyama, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi. “High Ion/Ioff Ge-source ultrathin body strained-SOI Tunnel FETs-impact of channel strain, MOS interfaces and back gate on the electrical properties”. Tech. Dig. International Electron Device Meeting (IEDM) pp. 13.2.1-4.
  • 12) S. Kim, Y. Ikku, M. Yokoyama, R. Nakane, J. Li, Y.-C. Kao, M. Takenaka and S. Takagi, High Performance InGaAs-On-Insulator MOSFETs on Si by Novel Direct Wafer Bonding Technology Applicable to Large Wafer Size Si,2012 Symposia on VLSI Technology and Circuit, the Hilton Hawaiian Village, Honolulu, June 9-12, 2014, 4.4, Technical Digest 2pages.
  • 13) R. Nakane, Y. Shuto, H. Sukegawa, Z.C. Wen, S. Yamamoto, S. Mitani, M. Tanaka, K. Inomata, and S. Sugahara, “Monolithic integration of pseudo-spin-MOSFETs using a custom CMOS chip fabricated through multi-project wafer service - A new route to more-than-Moore research ?”, IEEE 43rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) 2013, Bucharest, Romania, September 16-20, 2013, Paper 1272, Conference Digest 2pages.
  • 14) S. H. Kim, M. Yokoyama, R. Nakane, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi, “High Performance Extremely-thin Body InAs-On-Insulator MOSFETs on Si with Ni-InGaAs Metal S/D by Contact Resistance Reduction Technology”, Kyoto, Japan, 11-13 June, 2013, Presentation 5-2, Technical Digest T52-53.
  • 15) M. S. Kim, Y. H. Kim, M. Yokoyama, R. Nakane, S. H. Kim, M. Takenaka, S. Takagi, “Tunnel Field-Effect Transistors with Germanium/Strained-Silicon Hetero-Junctions for Low Power Applications”, The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8), Fukuoka, Japan, June 2-7, 2013, Presentation P1-26, Proceeding pp. 197-198.
  • 16) Y. Shuto, S. Yamamoto, H. Sukegawa, Z.C. Wen, R. Nakane, S. Mitani, M. Tanaka, K. Inomata, and S. Sugahara, “Design and performance of pseudo-spin-MOSFETs using nano-CMOS devices”, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2012, San Francisco, CA, USA, December 10-12, 2012, Conference Digest pp. 685-688.
  • 17) S. H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Nakane, T. Yasuda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi, “Sub-60 nm deeply scaled Extremely-thin Body InxGa1-xAs-On-Insulator MOSFETs on a Si substrate with Ni-InGaAs metal S/D and MOS Interface Buffer Engineering”, 2012 Symposia on VLSI Technology and Circuit VLSI, Honolulu, June 12-14, 2012, 21.1, Technical Digest pp. 177-178.
  • 18) S. H. Kim, M.Yokoyama, N.Taoka, R.Nakane, T. Yasuda, M. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M.Takenaka and S.Takagi, “Enhancement Technologies and Physical Understanding of Electron Mobility in III-V n-MOSFETs with Strain and MOS Interface Buffer Engineering”, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Washington DC, USA, December 5-7, 2011, Conference Digest pp. 311-314.
  • 19) S. H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Iida, S. Lee, R. Nakane, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi, “Self-aligned metal S/D InP MOSFETs using metallic Ni-InP alloy”, 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), Berlin, Germany, May 22-26, 2011, Presentation No. 42, Proceedings 4pages.
  • 20) S. H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Iida, S. Lee, R. Nakane, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi, “High performance Extremely-thin Body III-V-On-Insulator MOSFETs on a Si substrate with Ni-InGaAs metal S/D and MOS Interface Buffer Engineering”, 2011 Symposia on VLSI Technology and Circuit, Kyoto, Japan, June 13-17, 2011, 4A-2, Technical Digest pp. 58-59.
  • 21) J.-K. Suh, R. Nakane, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi, “Highly-Strained SGOI p-Channel MOSFETs Fabricated by Applying Ge Condensation Technique to Strained-SOI Substrates”, 37th Device Research Conference (DRC), Santa Barbara, CA, USA, June 20-22, 2011, Conference Digest pp. 235-236.
  • 22) S. H. Kim, M.Yokoyama, N.Taoka, R. Iida, S. Lee, R.Nakane, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M.Takenaka and S.Takagi, “Self-aligned metal Source/Drain InxGa1-xAs n-MOSFETs using Ni-InGaAs alloy”, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco, CA USA, Dec. 6-8, 2010, Conference Digest pp. 596-599.
  • 23) K. Morii, T. Iwasaki, R. Nakane, M. Takenaka and S. Takagi, “High Performance GeO2/Ge nMOSFETs with Source/Drain Junctions Formed by Gas Phase Doping”, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)2009, Hilton Baltimore, Baltimore, MD, December 7-9, 2009, Conference Digest pp. 681-684.
  • 24) S. H. Kim, S. Nakagawa, T. Haimoto, R. Nakane, M. Takenaka and S. Takagi, “Metal Source/Drain Inversion-mode InP MOSFETs”, 67th Device Research Conference (DRC), The Pennsylvania State University, Pennsylvania, USA, June 22 ? 24, 2009, Conference Digest pp. 115-116.
  • 25) R. Nakane, T. Harada, K. Sugiura, S. Sugahara and M. Tanaka, “Magneto resistance in MOSFETs with ferromagnetic MnAs source and drain contacts: Spin injection and transport in Si MOS channels”, The 66th Device Research Conference (66th DRC), Santa Barbara, CA, USA, June 23-25, 2008, V.A-7, Conference Digest pp. 227-228.
  • 26) Y. Nakakita, R. Nakane, T. Sasada, H. Mastubara, M. Takenaka, and S. Takagi, “Interface-Controlled Self-Align Source/Drain Ge pMOSFETs Using Thermally-Oxidized GeO2 Interfacial Layers”, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2008, San Francisco, CA, USA, Dec. 15-17, 2008, Conference Digest pp. 877-880.

著書(共著)

  • 1) Shinichi Takagi, Tsutomu Tezuka, Toshifumi Irisawa, Shu Nakaharai, Toshinori Numata, Koji Usuda, Naoharu Sugiyama, Masato Shichijo, Ryosho Nakane and Satoshi Sugahara, “Devices Structures and Carrier Transport Properties of Advanced CMOS using High Mobility Channels”, “Electronic Device Architectures for the Nano-CMOS Era - From Ultimate CMOS Scaling to Beyond CMOS Devices”, pp. 81-104, edited by Simon Deleonibus, July 2008, Pan Stanford Publishing (ISBN 978-981-4241-28-1).

表彰

  • 1) 2016 IEEE Transactions on Nanotechnology (TNANO) Best Paper Award(共著)
    Yasunao Katayama, Toshiyuki, Yamane, Daiju Nakano, Ryosho Nakane, and Gouhei Tanaka
    “Wave-Based Neuromorphic Computing Framework for Brain-Like Energy Efficiency and Integration” IEEE Transactions on Nanotechnology, Vol. 16, No. 5, 762-769 (2016).
  • 2) 日本応用物理学会 第6回シリコンテクノロジー分科会論文賞:以下の論文に対して
    SangHyeon Kim, Yuki Ikku, Masafumi Yokoyama, Ryosho Nakane, Jian Li, Yung-Chung Kao, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi, “Direct wafer bonding technology for large-scale InGaAs-on-insulator transistors”, Appl. Phys. Lett. 105, pp. 043504/1-3 (2014).

学会・研究会での招待・依頼講演(第一著者のみ)

  • 1) Ryosho Nakane and Masaaki Tanaka, "Materials and Devices for Semiconductor Spintronics: Si-based Spintronics", 1st Annual World Congress of Advanced Materials-2012 (WCAM2012), Beijing International Convention Center, June. 6-8, 2012, Beijin China, Session 6-3.
  • 2) 中根了昌,原田智之,杉浦邦晃,菅原 聡,田中雅明, “シリコンMOS反転層へのスピン注入とスピンMOSFETへの応用”, 第69回応用物理学会学術講演会, 中部大学, 春日井, 2008年9月, 3p-CA-3, 予稿集 p52.
  • 3) 中根了昌, 杉浦邦晃, 田中雅明, 菅原聡, “シリコン中へのスピン注入とそのデバイス応用”, 第54回応用物理学関係連合講演会,青山学院大学, 神奈川, 2007年3月, 29p-ZT-5, 予稿集p133.
  • 4) 中根了昌, 杉浦邦晃, 菅原聡, 田中雅明, “半導体スピントロニクスの新しい展開-スピントランジスタ”, 日本応用磁気学会スピンエレクトロニクス専門研究会・応用物理学会スピンエレクトロニクス研究会 共同主催、IEEE Magnetics Society Japan Chapter共催研究会 「スピン注入磁壁ダイナミクスと半導体スピントロニクスの新しい展開」, 中央大学駿河台記念館 6階 670号室, 2007年7月23日.
  • 5) 中根了昌, “スピントランジスタ”, セミコン・ジャパン2005, 幕張メッセ, 千葉, 2005年12月, session 5 予稿集p49.

国際会議発表論文

  • 1) R. Nakane, M. Ichihara, S. Sato, and M. Tanaka, "Nearly ideal spin extraction efficiency in Fe/Mg/MgO/SiOx/n+-Si junctions", 10th International School and Conference on Physics and Applications of Spin Phenomena in Solids, August 05-09, 2018, Johannes Kepler Universitat, Linz, Austria , B-29.
  • 2) R. Nakane, S. Sato, T. Hada, and M. Tanaka,"Efficient spin transport through a SiOxNy tunnel barrier in ferromagnet/ SiOxNy / n+-Si junctions compatible with the Si-CMOS technology", International Conference on Magnetism (ICM) 2018, July 15 - 20, 2018, Moscone Center, San Francisco, CA, J7-04.
  • 3) R. Nakane, G. Tanaka, and A. Hirose, "Demonstration of spin-wave-based reservoir computing for next-generation machine-learning devices", International Conference on Magnetism (ICM) 2018, July 15 - 20, 2018, Moscone Center, San Francisco, CA, B6-10.
  • 4) T.-E. Bae, R. Suzuki, R. Nakane, M. Takenaka, and S. Takagi, “Effects of Ge-source impurity concentration on ... by Ge Condensation”, 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),19-22 Sept., Sendai, Japan, E-2-02,
  • 5) T.-E. Bae, R. Suzuki, R. Nakane, M. Takenaka, and S. Takagi, "Effects of Ge-source impurity concentration on electrical characteristics of Ge/Si hetero-junction tunneling FETs", 2017 Fifth Berkeley Symposium on Energy Efficient Electronic Systems & Steep Transistors Workshop, Oct. 19-20, 2017, Berkeley, CA, USA.
  • 6) R. Nakane, T. Hada, S. Sato, and M. Tanaka, “Spin injection into Si through an amorphous SiOxNy tunnel barrier”, 9th International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology (Spin TECH IX), Fukuoka, Japan, June 4-8, 2017, Poster B96.
  • 7) R. Nakane and M. Tanaka, "Growth, structure, and magnetic properties of epitaxial NiFe2O4 films grown on Si(111) substrates", 61ST anuual Conference on Magnetism and Magnetic Materials, New Orleans, Luisiana, USA, Oct. 31 ? Nov. 4, 2016, BE-14.
  • 8) G. Tanaka, R. Nakane, T. Yamane, D. Nakano, S. Takeda, S. Nakagawa and A. Hirose, "Exploiting Heterogeneous Units for Reservoir Computing with Simple Architecture", 23rd International Conference on Neural Information Processing, ICONIP 2016, Kyoto, Japan, October 16?21, 2016, MonPM1-1/1.
  • 9) T. Yamane, S. Takeda, D. Nakano, G. Tanaka, R. Nakane, S. Nakagawa and A. Hirose, "Dynamics of reservoir computing at the edge of stability", 23rd International Conference on Neural Information Processing, ICONIP 2016, Kyoto, Japan, October 16?21, 2016, MonPM1-1/3.
  • 10) S. Takeda, D. Nakano, T. Yamane, G. Tanaka, R. Nakane, A. Hirose and S. Nakagawa, "Photonic Reservoir Computing Based on Laser Dynamics with External Feedback", 23rd International Conference on Neural Information Processing, ICONIP 2016, Kyoto, Japan, October 16?21, 2016, MonPM1-1/5.
  • 11) R. Mori, G. Tanaka, R. Nakane, A. Hirose and K. Aihara, "Computational Performance of Echo State Networks with Dynamic Synapses", 23rd International Conference on Neural Information Processing, ICONIP 2016, Kyoto, Japan, October 16?21, 2016, MonPM1-1/10.
  • 12) A. Shimada, R. Nakane, M. Takenaka, and S. Takagi,"Evaluation of Effective Mass of Inversion-layer Holes in Strained-Si pMOSFETs utilizing Shubnikov de-Haas (SdH) Oscillation", 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (2016 SSDM), Tsukuba International Congress Center, Tsukuba. Ibaraki, Japan, Sept. 26-29, 2016, A-3-01.
  • 13) Yasunao Katayama, Toshiyuki Yamane, Daiju Nakano, Ryosho Nakane and Gouhei Tanaka, “Wave-Based Neuromorphic Computing Framework for Brain-Like Energy Efficiency and Integration”, 15th International Conference on Nanotechnology (IEEE NANO 2015), Rome, Italy, July 27-30, 2015, We3E-3 (ID 660).
  • 14) G. Tanaka, T. Yamane, D. Nakano, R. Nakane, and Y. Katayama, Regularity and Randomness in Modular Network Structures for Neural Associative Memories, International Joint Conference on Neural Networks (IJCNN), Killarney, Ireland, July 13-16, 2015, #15594 .
  • 15) Yasunao Katayama, Toshiyuki Yamane, Daiju Nakano, Ryosho Nakane and Gouhei Tanaka, “Wave-Based Device Scaling Concept for Brain-Like Energy Efficiency and Integration”, 11th ACM/IEEE International Symposium on Nanoscale Architectures (NanoArch 2015), Boston, USA, 8-10 July, 2015, SessionII-3.
  • 16) Minsoo Kim, Yuki Wakabayashi, Ryosho Nakane, Masafumi Yokoyama, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi. “High Ion/Ioff Ge-source ultrathin body strained-SOI Tunnel FETs-impact of channel strain, MOS interfaces and back gate on the electrical properties”. 2014 IEEE International Electron Devices Meeting(2014 IEDM), Hilton San Francisco Union Square, San Francisco, CA USA, December 15-17, 2014, 13.2.
  • 17) S. Kim, Y. Ikku, M. Yokoyama, R. Nakane, J. Li, Y.-C. Kao, M. Takenaka and S. Takagi, High Performance InGaAs-On-Insulator MOSFETs on Si by Novel Direct Wafer Bonding Technology Applicable to Large Wafer Size Si,2012 Symposia on VLSI Technology and Circuit VLSI, the Hilton Hawaiian Village, Honolulu, June 9-12, 2014, 4.4.
  • 18) Minsoo Kim, Yuki Wakabayashi, Ryosho Nakane, Masafumi Yokoyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi, Effect of In-Situ Boron Doping in Germanium Source Regions on Performance of Germanium/Strained-Silicon-on-Insulator Tunnel Field-Effect Transistors 014 MRS Spring Meeting & Exhibit, San Francisco, California, April 21-25, 2014, BB2.012.
  • 19) R. Nakane, Y. Shuto, H. Sukegawa, Z.C. Wen, S. Yamamoto, S. Mitani, M. Tanaka, K. Inomata, and S. Sugahara, “Monolithic integration of pseudo-spin-MOSFETs using a custom CMOS chip fabricated through multi-project wafer service - A new route to more-than-Moore research ?”, IEEE 43rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) 2013, Bucharest, Romania, September 16-20, 2013, C3L-A /1272.
  • 20) R. Nakane, Y. Shuto, H. Sukegawa, Z.C. Wen, S. Yamamoto, S. Mitani, M. Tanaka, K. Inomata, and S. Sugahara, “Spin-transistor characteristics of pseudo-spin-MOSFETs monolithically-integrated by utilizing a multi-project-wafer CMOS chip”, 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Fukuoka, Japan, September 24-27, 2013, M-6-2.
  • 21) M. Kim, Y. Wakabayashi, R. Nakane, M. Yokoyama, M. Takenaka and S. Takagi, “Electrical Characteristics of Ge/Si Hetero-Junction Tunnel Field-Effect Transistors and their Post Annealing Effects”, 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Fukuoka, Japan, September 24-27, 2013, Paper B-6-2
  • 22) R. Nakane, Y. Shuto, H. Sukegawa, Z.C. Wen, S. Yamamoto, S. Mitani, M. Tanaka, K. Inomata, and S. Sugahara, “Fabrication and characterization of pseudo-spin-MOSFETs using a multi-project CMOS wafer”, 58th Auual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (58th MMM), Denver, Colorado, USA, November 4-8, 2013, GT-06.
  • 23) S. H. Kim, M. Yokoyama, R. Nakane, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi, “Analysis on channel thickness fluctuation scattering in InGaAs-OI MOSFETs”, The 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Kobe, Japan, 19-23 May, 2013, WeD1-3.
  • 24) M. S. Kim, Y. H. Kim, M. Yokoyama, R. Nakane, S. H. Kim, M. Takenaka, S. Takagi, “Tunnel Field-Effect Transistors with Germanium/Strained-Silicon Hetero-Junctions for Low Power Applications”, The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8), Fukuoka, Japan, June 2-7, 2013, P1-26.
  • 25) S. Sato, R. Nakane, M. Tanaka,”Analysis of 3-terminal Hanle signals in Si-based spintronic devices”,American Physical Society, Annual APS March Meeting, Baltimore convention center, Hilton Baltimore, Boltimore, Maryland, USA, March 18, 2013, C18.00007.
  • 26) Y. Shuto, S. Yamamoto, H. Sukegawa, Z.C. Wen, R. Nakane, S. Mitani, M. Tanaka, K. Inomata, and S. Sugahara,“Design and performance of pseudo-spin-MOSFETs using nano-CMOS devices”, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2012, San Francisco, CA, USA, December 10-12, 2012, 29.6.1.
  • 27) R. Nakane, S. Sato, S. Kokutani, and M. Tanaka, “Electrical state in spin devices for nonlocal measurements”, The 7th International Conference on Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors (PASPS VII), Eindhoven University of Technology, the Netherlands, August 5-8, 2012, p-130.
  • 28) R. Akiyama, R. Nakane, and M. Tanaka, "Structural and magnetic properties of ferromagnetic Ge1-xMnx grown on Ge(111)", The 7th International Conference on Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors (PASPS VII), Eindhoven University of Technology, the Netherlands, August 5-8, 2012, p-124.
  • 29) R. Akiyama, R. Nakane, and M. Tanaka, "Structural and magnetic properties of ferromagnetic Ge1?xMnx grown on Ge(111)", the 31st International Conference on the Physiscs of Semiconductors(the 31st ICPS) 2012, Zurich, Switzerland, July 29th - August 3rd, 2012, 66.30.
  • 30) S. H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Nakane, T. Yasuda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi, “Sub-60 nm Deeply-Scaled Channel Length Extremely-thin Body InxGa1-xAs-On-Insulator MOSFETs on a Si with Ni-InGaAs Metal S/D and MOS Interface Buffer Engineering”, the 2012 Symposium on VLSI Technology, the Hilton Hawaiian Village, Honolulu, Hawaii, June 12-14, 2012, T21-1.
  • 31) S. H. Kim, M.Yokoyama, N.Taoka, R.Nakane, T. Yasuda, M. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M.Takenaka and S.Takagi, “Enhancement Technologies and Physical Understanding of Electron Mobility in III-V n-MOSFETs with Strain and MOS Interface Buffer Engineering”, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Washington DC, USA, December 5-7, 2011, 13-4.
  • 32) J. Suh, R. Nakane, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi, “Highly-Strained SGOI p-Channel MOSFETs Fabricated by Applying Ge Condensation Technique to Strained-SOI Substrates”, The 69th Device Research Conference (DRC), University California, Santa Barbara, CA, June 20-22, 2011, VI.A.-3.
  • 33) S.H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Iida, S. Lee, R. Nakane, Y. Urabe, N. Miyata,T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi, “High Performance Extremely-Thin Body III-V-On- Insulator MOSFETs on a Si Substrate with Ni-InGaAs Metal S/D and MOS Interface Buffer Engineering”, 2011 Symposium on VLSI technology, Rihga Royal Hotel Kyoto, Kyoto, Japan, June 13 - 16, 2011, 4A-2.
  • 34) S. H. Kim, M.Yokoyama, N.Taoka, R. Iida, S. Lee, R.Nakane, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M.Takenaka and S.Takagi, “Self-aligned metal S/D InP MOSFETs using metallic Ni-InP alloy”, 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), Berlin, Germany, May 22-26, 2011, Tu-5.1.3.
  • 35) Y. Takamura, T. Sakurai, R. Nakane, Y. Shuto, S. Sugahara. "Comparative study of full-Heusler Co2FeSi and Co2FeGe alloy thin films formed by rapid thermal annealing", 55th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM2010), Atlanta, USA, paper CV-02, p. 114 (program), Nov 14-18, 2010.
  • 36) S. H. Kim, M.Yokoyama, N.Taoka, R. Iida, S. Lee, R.Nakane, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M.Takenaka and S.Takagi, “Self-aligned metal Source/Drain InxGa1-xAs n-MOSFETs using Ni-InGaAs alloy”, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Sanfrancisco, CA USA, Dec. 6-8, 2010, Conference Digest pp. 596-599.
  • 37) S. Sato, R. Nakane, S. Kokutani, and M. Tanaka, “Influence of anisotropic magnetoresistance on nonlocal signals in multi-terminal lateral devices with a Si channel and Fe electrodes”, International Conference on the Physics and Applications of Spin Related Phenomena in Semiconductors (PASPS-VI), the University of Tokyo, Tokyo, Japan August 1-4, 2010, P2-70, conference abstract pp. 299-300.
  • 38) Y. Shuto, R. Nakane, W. Wang, H. Sukegawa, S. Yamamoto, M. Tanaka, K. Inomata, and S. Sugahara, “A new spin-functional MOSFET based on MTJ technology: Pseudo-spin-MOSFET”, International Conference on the Physics and Applications of Spin Related Phenomena in Semiconductors (PASPS-VI), the University of Tokyo, Tokyo, Japan August 1-4, 2010, P2-71, conference abstract pp. 301-302.
  • 39) Y. Takamura, R. Nakane, and S. Sugahara, “Disordered structures in full-Heusler Co2FeSi alloy thin films formed by rapid thermal annealing”, International Conference on the Physics and Applications of Spin Related Phenomena in Semiconductors (PASPS-VI), the University of Tokyo, Tokyo, Japan August 1-4, 2010, P2-21, conference abstract pp.214-215.
  • 40) T. Sakurai, Y. Takamura, R. Nakane, Y. Shuto, and S. Sugahara, “Epitaxial germanidation of full-Heusler Co2FeGe alloy thin films by rapid thermal annealing”, International Conference on the Physics and Applications of Spin Related Phenomena in Semiconductors (PASPS-VI), the University of Tokyo, Tokyo, Japan August 1-4, 2010, P2-22, conference abstract pp.216-217.
  • 41) K. Hayashi, Y. Takamura, R. Nakane and S. Sugahara, “Formation of Co2FeSi/SiN/Si tunnel junctions for Si-based spin transistors”, 11th Joint MMM-Intermag Conference, Washington, DC, USA, January 18 ? 22, 2010, paper HH-02.
  • 42) K. Morii, T. Iwasaki, R. Nakane, M. Takenaka and S. Takagi, “High Performance GeO2/Ge nMOSFETs with Source/Drain Junctions Formed by Gas Phase Doping”, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)2009, Hilton Baltimore, Baltimore, MD, December 7-9, 2009, pp. 681-684.
  • 43) Y. Shuto, R. Nakane, H. Sukegawa, S. Yamamoto, M. Tanaka, K. Inomata, and S. Sugahara, “Fabrication and characterization of pseudo-spin-MOSFETs”, International Symposium on Silicon Nanodevices in 2030: Prospects by world’s leading scientists, Tokyo Institute of Technology, Oookayama, Tokyo, October 13-14, 2009.
  • 44) S. H. Kim, S. Nakagawa, T. Haimoto, R. Nakane, M. Takenaka and S. Takagi, “Metal Source/Drain Inversion-mode InP MOSFETs”, 67th Device Research Conference (67th DRC), The Pennsylvania State University, Pennsylvania, USA, June 22 ? 24, 2009, pp. 115-116.
  • 45) K. Hayashi, Y. Takamura, R. Nakane and S. Sugahara, “Preparation and characterization of full-Heusler Co2FeSi alloy thin films on amorphous insulator films”, IEEE International Magnetics Conference (INTERMAG 09), Sacramento, CA, USA, May 4 ? 8, 2009, paper ES-08.
  • 46) Y. Nakakita, R. Nakane, T. Sasada, H. Mastubara, M. Takenaka, and S. Takagi, “Interface-Controlled Self-Align Source/Drain Ge pMOSFETs Using Thermally-Oxidized GeO2 Interfacial Layers”, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2008, San Francisco, CA, USA, Dec. 15-17, 2008, pp. 877-880.
  • 47) Y. Takamura, R. Nakane, and S. Sugahara, “Analysis of L21-ordering in full-Heusler Co2FeSi alloy thin films formed by rapid thermal annealing”, 53rd Annual Conf. on Magnetism and Magnetic Materials, Austin, USA, November 10-14, 2008, paper DD-03.
  • 48) Y. Takamura, Y. Nagahama, A. Nishijima, R. Nakane, and S. Sugahara, “Formation of Si- and Ge-based Full-Heusler Alloy Thin Films Using SOI and GOI Substrates for the Half-Metallic Source and Drain of Spin Transistors”, Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science, Honolulu, USA, October 12-17, 2008, paper 18.2, p. 2480.
  • 49) K. Morii, S. Dissanayake, S. Tanabe, R. Nakane, M. Takenaka, S. Sugahara, and S. Takagi, “Evaluation of Electron and Hole Mobility at Identical MOS Interfaces by using Metal Source/Drain GOI MOSFETs”, 2008 International Conference on Solid State Devices and materials, Tsukuba, Japan, September 24, 2008, paper B-1-4.
  • 50) R. Nakane, T. Harada, K. Sugiura, S. Sugahara and M. Tanaka, “Magnetoresistance in MOSFETs with ferromagnetic MnAs source and drain contacts: Spin injection and transport in Si MOS channels”, The 66th Device Research Conference (66th DRC), Santa Barbara, CA, USA, June 23-25, 2008, V.A-7, Conference Digest pp. 227-228.
  • 51) M. Deura, T. Hoshii, M. Sugiyama, R. Nakane, M. Takenaka, S. Sugahara, S. Takagi, and Y. Nakano, "Effect of Ga content on crystal shape in micro-channel selective-area MOVPE of InGaAs on Si," International Conference of MOVPE (ICMOVPE’08), Metz, June 2008, paper We-B2.6.
  • 52) Y. Takamura, A. Nishijima, Y. Nagahama, R. Nakane, and S. Sugahara, “Fabrication technique of Si- and Ge-based full-Heusler alloys for half-metallic source/drain spin MOSFETs”, The fourth international nanotechnology conference on communication and cooperation, Tokyo, April 14-17, 2008, paper P-19.
  • 53) M. Tanaka, R. Nakane, K. Sugiura, T. Harada, and S. Sugahara, “Spintronics Materials and Devices for Advanced Electronics: Metal-Oxide-Semiconductor Based Spin Devices for Reconfigurable Logic”, Global COE International Symposium on Secure-Life Electronics-Advanced Electronics for Quality Life and Society-, Hongo Campus, University of Tokyo, March 6-7, 2008.
  • 54) Y. Takamura, R. Nakane, H. Munekata, and S. Sugahara, “Preparation of full-Heusler alloys on silicon-on-insulator substrates employing rapid thermal annealing”, 52nd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials, Tampa, Florida, USA, November 5-9, 2007, BQ-05, p.116.
  • 55) S. Takagi, T. Uehara, S. Tanabe, H. Matsubara, R. Nakane, M. Takenaka and S. Sugahara, “Effects of Atomic Hydrogen Annealing on Reduction of Leakage Current in Ultrathin Si/Ge/Si-On-Insulator Metal Source/Drain p-Channel MOSFETs”, 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007), Kyoto, Japan, October 15-18, 2007, p. 132.
  • 56) T. Hoshii, M. Deura, M. Sugiyama, R. Nakane, S. Sugahara, M. Takenaka, Y. Nakano, and S. Takagi, “Control of Lateral and Vertical Selective Area Growth of InGaAs on (111) Si Substrates using MOVPE for III-V FET Applications”, 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007), ,Kyoto, Japan, October 15-18, 2007, p. 164.
  • 57) S. Takagi, H. Matsubara, M. Nishikawa, T. Sasada, R. Nakane, S. Sugahara and M. Takenaka, “Superior MOS Interface Properties of GeO2/Ge Structures Fabricated by Ozone Oxidation”, the 5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces -for Next Generation ULSI Process Integrations- (ISCSI-V), Tokyo Metropolitan University, November12-14, 2007, pp. 65-66.
  • 58) S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K. Ikeda, Y. Yamashita, M. Harada, T. Yamamoto, N. Sugiyama, M. Nishikawa, H. Kumagai, H. Matsubara, R. Nakane, M. Takenaka and S. Sugahara, “Understanding and Control of Ge MIS Interface Properties (invited)”, 4th International Symposium on Advanced Gate Stack Technology, Dallas, TX, USA, Sept. 25-28, 2007.
  • 59) S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K. Ikeda, Y. Yamashita, M. Nishikawa, H. Kumagai, R. Nakane, S. Sugahara and N. Sugiyama, “Gate Dielectric Formation and MIS Interface Characterization on Ge (invited)”, 15th Insulating Films on Semiconductors (INFOS2007) , June 20-23, 2007, Athene, Greece, pp. 2314?2319.
  • 60) M.Shichijo, R.Nakane, S.Sugahara and S.Takagi, “Fabrication of III-V-O-I(III-V on Insulator) structures on Si using micro-channel epitaxy with a two-step growth technique”, 2006 International Conferenceon Solid State Devices and Materials (SSDM 2006), Yokohama, Japan, September 12-15, 2006, paper I-8-1, p.1088.
  • 61) K. Sugiura, R. Nakane, S. Sugahara and M. Tanaka “Low Schottky barrier height and high thermal stability of epitaxial ferromagnetic MnAs thin films grown on Si(001) for Si based spintronics”, 14th International conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2006), Tokyo, Japan, September 3-8, 2006, paper MoB 3-7, p.17.
  • 62) K. Sugiura, R. Nakane, S. Sugahara and M. Tanaka “Fabrication of Si-based Spin MOSFET with epitaxial ferromagnetic MnAs source and drain”, 4th International Conference on Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductor (PASPS-4), PB-57, Sendai, Japan, August 15-18, 2006, paper PB-57, p.138.
  • 63) R.Nakane, M.Tanaka and S.Sugahara, “Preparation of Ferromagnetic Silicide Fe1-xSix Using Silicon-on-Insulator Substrates for Si-Based Spin-Electronic Devices”, 50th Annual Conf. on Magnetism and magnetic materials (MMM2005), San Jose, USA, October 30-November 3, 2005, paper DS-01, p.198
  • 64) R.Nakane, J.Kondo, S.Sugahara, and M.Tanaka, “Current-Induced Magnetization Switching in Epitaxial MnAs/NiAs/MnAs Heterostructures on GaAs Substrates”, The 3rd Intl. School and Conf. on Spintronics and Quantum Information Technology (Spintech III), Awaji, Japan, August 1-5, 2005, paper P-138, p.210.
  • 65) K. Sugiura, R. Nakane, S. Sugahara and M. Tanaka “Schottky barrier height evaluation of ferromagnetic metal - Si junctions” Third International Conference and School on Spintronics and Quantum Information Technology (SpintechIII), Awaji, Japan, Aug. 2005, P-138, p.210.
  • 66) R.Nakane, M.Tanaka and S.Sugahara, “Formation and Characterization of Ferromagnetic Silicide Fe1-xSix for Si-Based Spintronic Devices”, 47th Annual TMS Electronic Materials Conf. (47th EMC), Santa Barbara, USA, June 22-24, 2005, paper J10, Late News.
  • 67) R.Nakane, J.Kondo, M.W.Yuan, S.Sugahara and M.Tanaka, “Growth and Magnetic Properties of Epitaxial Metallic MnAs/NiAs/MnAs Heterostructures Grown on Exact GaAs(111)B Substrates”, 2004 Intl. Conf. on Molecular Beam Epitaxy (MBE2004), Edinburgh, Scotland, August 22-27, 2004, paper THA1.2, p.315.
  • 68) R.Nakane, S.Sugahara and M.Tanaka, “Epitaxial Growth and Magnetic Properties of MnAs/III-V(GaAs, AlAs)/MnAs Heterostructures on Exact GaAs(111)B Substrates”, The 3rd Intl. Conf. on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Semiconductors (PASPS III), Santa Barbara, USA, July 21-23, 2004, paper 153, p.153.
  • 69) R.Nakane, S.Sugahara and M.Tanaka, “The Effect of Post-Growth Annealing on the Morphology and Magnetic Properties of MnAs Thin Films Grown on GaAs(001) Substrates”, 9th Joint MMM/INTERMAG Conf., Anaheim, USA, January 5-9, 2004, paper AE-08, p.28.
  • 70) R.Nakane, S.Sugahara and M.Tanaka, “Magnetic Properties of Fully Epitaxial Metallic MnAs/NiAs/MnAs Trilayers Grown on GaAs(001) Substrates”, Intl. Conf. and School Semiconductor spintronics and Quantum Information Technology (Spintech II), Brugge, Belgium, August 4-6, 2003, paper 042, p.58.
  • 71) S.Sugahara, R. Nakane, K.L. Lee and M.Tanaka, “Magnetic Coupling and Tunneling Magnetoresistance of Fully Epitaxial MnAs/AlAs/MnAs Ferromagnetic Tunnel Junctions”, Intl. Conf.and School Semiconductor spintronics and Quantum Information Technology (Spintech II), Brugge, Belgium, August 4-6, 2003, paper 053, p.62.
  • 72) R.Nakane, S.Sugahara and M.Tanaka, “Epitaxial Growth and Magnetic Properties of MnAs/NiAs/MnAs Spin-Valve Trilayers on GaAs(001) Substrates”, The 11th Intl. Conf. on Modulated Semiconductor Structures (MSS11), Nara, Japan, July 14-18, 2003, paper PB77, p.319-320.
  • 73) S. Sugahara, R. Nakane and M. Tanaka, “Fully epitaxial MnAs/AlAs/MnAs ferromagnetic tunnel junctions grown on GaAs(111)B substrates : The influence of crystallinity on tunneling magnetoresistance.”, 47TH annual conference on magnetism & magnetic materials, TAMPA, November, 2002, paper AA-09.
  • 74) R. Nakane, E. Hirota, M. Sawamura, S. Chikazumi, and K. Mukasa, ”Structure of Spin Vortices in Ultra-Thin Ferromagnetic Films”, The 4th International Symposium on Physics of Magnetic Materials (4th ISPMM), Sendai, Japan, 23-26 August, 1998, paper 25pP1-21.

国内学会・研究会等発表

  • 1) T. Kanke, T. Hada, S. Sato, M. Ichihara, M. Tanaka, and R. Nakane, "Spin injection/extraction into/from a n+-Si channel using a Fe/Mg/Si3N4/Si(001) junction", 第65回応用物理学会春季学術講演会,早稲田大学西早稲田キャンパス・ベルサール高田馬場, 2018年3月17日-20日, 18a-D104-7.
  • 2) T. E. Bae, K. Kato, R. Suzuki, R. Nakane, M. Takenaka, S. Takagi, "Effects of the impurity concentration in the Ge sources on the electrical properties of Ge/Si TFETs", 第65回応用物理学会春季学術講演会,早稲田大学西早稲田キャンパス・ベルサール高田馬場, 2018年3月17日-20日, 17p-P8-3.
  • 3) S. Sakamoto, D. L. Ahn, P. N. Hai, Y. Takeda, M. Kobayashi, R. Nakane, Y.K. Wakabayashi, Y. Nonaka, K. Ikeda, Z. Chi, Y. Wan, M. Suzuki, Y. Saitoh, H. Yamagami, M. Tanaka, A. Fujimori, "Magnetization process of the insulating ferromagnetic semiconductor (Al,Fe)Sb", 第65回応用物理学会春季学術講演会,早稲田大学西早稲田キャンパス・ベルサール高田馬場, 2018年3月17日-20日, 20a-D104-7.
  • 4) 野中洋亮, 若林勇希, 芝田悟朗, 竹田幸治, 坂本祥哉, 池田啓祐, 池震棟, 田中新, 斎藤祐児, 山上浩志, 酒巻真粧子, 雨宮健太, 田中雅明, 中根了昌, 藤森淳, Si(111)基板上に作製したスピネルフェライトCoFe2O4薄膜の角度依存XMCD, 日本物理学会2017年秋季大会 JPS 2017 Autumn Meeting, 岩手大学, 2017年 9月21日-24日, 21aE26.
  • 5) M. Ichihara, S. Sato, M. Tanaka, and R. Nakane, "Enhancement of spin polarization in Si using a Fe/Mg/MgO/SiOx/Si spin injector", 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場・福岡国際センター・福岡サンパレスホテル,2017年9月5日-8日,6a-C18-2.
  • 6) S. Sato, R. Nakane, T. Hada, and M. Tanaka, "Geometrical effect on the spin accumulation signals in ferromagnet/insulator/Si tunnel junctions", 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場・福岡国際センター・福岡サンパレスホテル,2017年9月5日-8日,6a-C18-3.
  • 7) T. E. Bae, R. Suzuki, R. Nakane, M. Takenaka, S. Takagi, "Effects of gate electrode metal and drain doping concentration on electrical characteristics of Ge/Si hetero-junction tunneling FETs", 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場・福岡国際センター・福岡サンパレスホテル,2017年9月5日-8日,7a-PB3-3.
  • 8) Shoichi Sato, Ryosho Nakane, Takato Hada, and Masaaki Tanaka, "Analysis of 3-terminal and 4-terminal spin signals in Si-based vertical and lateral devices", 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 横浜市, 2017年3月14-17日, 16a-501-7.
  • 9) Yuuki Wakabayashi, Yosuke Nonaka, Yukiharu Takeda, Shoya Sakamoto, Keisuke Ikeda, Zhendong Chi, Goro Shibata, Yuji Saitoh, Hiroshi Yamagami, Masaaki Tanaka, Atsushi Fujimori, and Ryosho Nakane, "Electronic structure and magnetic properties of magnetic dead layers in epitaxial CoFe2O4/Al2O3/Si(111) films studied by X-ray magnetic circular dichroism (XMCD)", 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 横浜市, 2017年3月14-17日, 17a-501-5.
  • 10) TaeEon Bae, Yuki Wakabayashi, Ryosho Nakane, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi, "Annealing effects on electrical characteristics of Ge-source/Si-channel hetero-junction tunneling FETs", 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 横浜市, 2017年3月14-17日, 16p-412-8.
  • 11) R. Nakane and M. Tanaka,"Epitaxial NiFe2O4 films grown on Si(111) substrates", 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ, 新潟市, 2016年9月13-16日, 13a-A22-3.
  • 12) T. Hada, S. Sato, R. Nakane, M. Tanaka, "Spin injection into silicon in Fe/Mg/SiNx/Si tunnel junctions", 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ, 新潟市, 2016年9月13-16日, 14a-C41-2.
  • 13) S. Sato, R. Nakane, T. Hada, and M. Tanaka, "Relationship between 3-terminal signals and a dead layer of Fe/Mg/MgO/Si structure", 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ, 新潟市, 2016年9月13-16日, 14a-C41-1.
  • 14) M. Kim, Y.K. Wakagbayashi, R. Nakane, M. Yokoyama, M. Takenaka, and S. Takagi, "Effects of strain, interface states and back bias on electrical characteristics of Ge-source UTB strained-SOI tunnel Fets", 第76回応用物理学会春季学術講演会, 名古屋国際会議場, 名古屋, 2015年9月13-16日, 招 16a-1C-1.
  • 15) G. Song, R. Nakane, and M. Tanaka, "Structural, magnetic, and electrical properties of thermally-formed MnP electrode on InP(001)", 第76回応用物理学会春季学術講演会, 名古屋国際会議場, 愛知, 2015年9月13-16日, 13p-2J-2.
  • 16) 金 相賢, 一宮 佑希, 横山 正史, 中根 了昌, Li Jian, Kao Yung-Chung, 竹中 充, 高木 信一, “大口径化可能な貼り合わせ法によるSi上高性能InGaAs-OI MOSFETの作製[第6回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演]”, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 2015年3月13日、東海大学,神奈川,13a-A23-8.
  • 17) Yoshisuke Ban, Ryosho Nakane, Masaaki Tanaka, “Magnetoresistance of the Group-IV Ferromagnetic Semiconductor Ge1-yFey/Ge:B/Ge1-xFex Trilayer Heterostructures” 第62回応用物理学会春季学術講演会, 2015年3月11日、東海大学,神奈川, 11p-D11-1.
  • 18) Minsoo Kim, Yuki K. Wakabayashi, Ryosho Nakane, Masafumi Yokoyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi, “Effects of strain, interface states and back bias on electrical characteristics of Ge-source UTB strained-SOI tunnel FETs” , 2015年3月11日、東海大学,神奈川, 11a-A23-9.
  • 19) 山根 敏志,田中 剛平, 中野 大樹,中根 了昌,片山 泰尚,疎結合を持つモジュラー型自己連想ニューラルネットワークの特性解析,第17回情報論的学習理論ワークショップ,名古屋大学, 11/16-19(ポスター発表,2014年11月18日).
  • 20) S. Sato, R. Nakane, and M. Tanaka, “3T-Hanle signals of Fe/SiO2/Si junctions measured with various magnetic field directions”, 第75回応用物理学会春季学術講演会, 北海道大学, 2014年9月20日, 20p-S2-1.
  • 21) S. Sato, R. Nakane, and M. Tanaka, “三端子Hanle 信号の理論的解析”, 第75回応用物理学会春季学術講演会, 北海道大学, 2014年9月20日, 20p-S2-2.
  • 22) Minsoo Kim, Yuki Wakabayashi, Ryosho Nakane, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi, “Ge/Si Hetero-Junction TFETs with In-situ Boron-Doped Ge-Source”, 第75回応用物理学会春季学術講演会, 北海道大学, 2014年9月17日, 17a-pA-3-2.
  • 23) M.-S. Kim, Y. Wakabayashi, R. Nakane, M. Yokoyama, M. Takenaka and S. Takagi, “Electrical Characteristics of Ge/Si Hetero-Junction Tunnel Field-Effect Transistors and their Post Annealing Effects”, 第74回応用物理学会秋季学術講演会 同志社大学, 2013年9月16日.
  • 24) 金相賢, 横山正史, 田岡紀之, 中根了昌, 長田剛規, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一, “極薄膜InxGa1-xAs-OI MOSFETの電子移動度に与える膜厚揺らぎ散乱の影響”, 第60回応用物理学会春季学術講演, 神奈川工科大学, 神奈川, 2013年3月27日, 27p-PB5-4.
  • 25) 秋山 了太,中根 了昌,田中 雅明, “Ge(111)基板上に成長したGe1-xMnx における構造と磁性: Mn濃度依存性”, 第73回応用物理学会学術講演会, 愛媛大学・松山大学, 愛媛, 2012年9月14日, 14p-H6-5.
  • 26) 伴 芳祐,秋山 了太,中根 了昌,田中 雅明, "BoronドープIV族強磁性半導体Ge1-xFex の伝導と磁性", 第73回応用物理学会学術講演会, 愛媛大学・松山大学, 愛媛, 2012年9月14日, 14p-H6-6.
  • 27) 佐藤充浩,冨永琢郎,川目悠,髙村陽太,中根了昌,菅原聡,”高品質フルホイスラー合金Co2FeSi1-xAlx の形成と仕事関数制御”, 第73回応用物理学会学術講演会, 愛媛大学・松山大学, 愛媛, 2012年9月11日, 11p-H6-5.
  • 28) 金相賢,横山正史、田岡紀之, 中根了昌, 安田哲二,市川磨, 福原昇, 秦雅彦,竹中充, 高木信一, “Ni-InGaAs メタルS/D 及びMOS 界面バッファ層を持つ極薄膜InxGa1-xAs-OI MOSFETs の短チャネル特性”, 第73回応用物理学会学術講演会, 愛媛大学・松山大学, 愛媛, 2012年9月12日, 12p-PB10-3.
  • 29) 金相賢,横山正史、田岡紀之, 中根了昌, 安田哲二,市川磨, 福原昇, 秦雅彦,竹中充, 高木信一, “次世代高性能InxGa1-xAs-OI MOSFET の実現に向けたチャネルエンジニアリング”, 第73回応用物理学会学術講演会, 愛媛大学・松山大学, 愛媛, 2012年9月14日, 14a-F4-1
  • 30) 金相賢,横山正史,田岡紀之,中根了昌,安田哲二,市川磨,福原昇,秦雅彦,竹中充,高木信一, “MOS界面バッファ層の導入とチャネルIn組成変調による極薄膜 InxGa1-xAs-OI MOSFETの高性能化”, 第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年3月18日,  早稲田大学, 東京, 18a-GP6-1.
  • 31) 金相賢,横山正史,田岡紀之,中根了昌,安田哲二,市川磨,福原昇,秦雅彦,竹中充,高木信一, “二軸引っ張りひずみによるInGaAs MOSFETの移動度向上”, 第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年3月18日, 早稲田大学, 東京, 18a-GP6-2.
  • 32) 佐藤彰一, 中根了昌, 國谷瞬, 田中雅明, 第16回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS-16), 2011年11月29日, 東京工業大学博物館・百年記念館 フェライト会議室, E4.
  • 33) Junkyo Suh, Ryosho Nakane, Noriyuki Taoka, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi,”Mobility Enhancement of Strained-SGOI p-Channel MOSFETs by Applying Ge Condensation Technique to Strained-SOI Substrates”,第72 回応用物理学会学術講演会, 2011年9月1日, 山形大学, 山形,1a-P7-6.
  • 34) 金相賢,横山正史,田岡紀之,飯田亮,李成薫,中根了昌,卜部友二, 宮田典幸,安田哲二,山田永,福原昇,秦雅彦,竹中充,高木信一,”メタルS/D 構造及びMOS interface buffer 層の導入にによる極薄膜 InGaAs-OI MOSFET の高性能化”, 第72 回応用物理学会学術講演会, 2011年9月1日,山形大学, 山形,1a-P7-9.
  • 35) 佐藤彰一, 中根了昌, 國谷瞬, 田中雅明, ”Siチャネル及びFe電極を有する多端子横型デバイスにおける非局所信号への異方性磁気抵抗効果の影響”, 春季第58 回応用物理学関係連合講演会, 2011年3月24日, 神奈川工科大学, 神奈川, 24a-KQ-1.
  • 36) 金相賢, 横山正史, 田岡紀之, 飯田亮, 李成薫, 中根了昌, 卜部友二, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一, “InGaAs MOSFETにおけるメタルS/D材料としてのNi-InGaAsの評価”, 春季第58 回応用物理学関係連合講演会, 2011年3月26日, 神奈川工科大学, 神奈川, paper 26a-KD-3.
  • 37) 金相賢, 横山正史, 田岡紀之, 飯田亮, 李成薫, 中根了昌, 卜部友二, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一, “メタルS/D構造を用いた自己整合型InxGa1-xAs MOSFETの作製”, 春季第58 回応用物理学関係連合講演会, 2011年3月26日, 神奈川工科大学, 神奈川, paper 26a-KD-3.
  • 38) 櫻井 卓也, 高村 陽太, 中根 了昌, 周藤 悠介, 菅原 聡, "RTAによるフルホイスラー合金Co2FeGe薄膜のエピタキシャル形成", 第71回応用物理学会学術講演会, 長崎大学, 長崎, paper 14p-F-7, p.73, 10-018(DVD), Sep 14-17, 2010.
  • 39) 金相賢, 横山正史, 田岡紀之, 飯田亮, 李成薫, 中根了昌, 卜部友二, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一, “Ni-InGaAs合金を用いた自己整合型メタルソース・ドレイン InxGa1-xAs MOSFETs”, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第131回研究集会, 電子情報通信学会シリコンデバイス・材料研究会1月研究会, 「IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術)」, 2011年1月31日, 機械振興会館, pp. 5-8.
  • 40) 金相賢,横山正史、田岡紀之, 飯田亮, 李成薫, 中根了昌、卜部友二, 宮田典幸, 石井裕之, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一, “メタルS/D構造を用いた自己整合型InP MOSFETの作製”, 第71回応用物理学会学術講演会, 長崎大学, 長崎, 2010年, 
  • 41) 周藤悠介,中根了昌,Wenhong Wang,介川裕章,山本修一郎,田中雅明,猪俣浩一郎,菅原 聡, “擬似スピンMOSFETの作製と評価”, 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会, 東海大学, 神奈川, 2010年3月,17a-ZJ-9.
  • 42) 林建吾,高村陽太,中根了昌,菅原聡, “Co2FeSi/SiOxNy/Si トンネル接合の形成とその構造評価”, 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会, 東海大学, 神奈川, 2010年3月,17a-ZH-5.
  • 43) 森井清仁,岩崎敬志,中根了昌,竹中 充,高木信一, “気相拡散によるソース・ドレイン接合を用いた高性能GeO2/Ge nMOSFET”, 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会, 東海大学, 神奈川, 2010年3月,18p-B-6.
  • 44) 森井清仁,岩崎敬志,中根了昌,竹中 充,高木信一, “気相拡散によるソース・ドレイン接合を用いた高性能GeO2/Ge nMOSFET”(招待講演), 電子デバイス研究会「グリーンITにおける電子デバイス」, 東京工業大学, 2010年3月.
  • 45) 國谷瞬,中根了昌, 佐藤彰一, 菅原聡, 田中雅明, “Fe電極を用いたスピンMOSFETにおけるスピン依存伝導特性”, 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学, 2009年9月, paper 10a-ZD-29.
  • 46) 金相賢,中川翔太,灰本隆志,中根了昌,竹中充,高木信一, “メタルソース?ドレインを用いたInP MOSFETの作製と電気特性”, 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学, 2009年9月, paper 10p-TH-19.
  • 47) 中根了昌, 佐藤彰一, 菅原聡, 田中雅明, “強磁性MnAsソース・ドレインを用いたスピンMOSFET-半導体/磁性体界面制御技術(ショットキー障壁)の開発-”, NEDOナノテクプロジェクト第5回研究会, 東京大学本郷キャンパス, 2009年8月19日.
  • 48) 菅原聡,橋詰研志,高村陽太,中根了昌,田中雅明, “強磁性体/MgO/pn接合複合構造ソース/ドレインMOSFETの試作と評価”, NEDOナノテクプロジェクト第5回研究会, 東京大学本郷キャンパス, 2009年8月19日.
  • 49) 中根 了昌,國谷瞬,佐藤彰一,菅原聡,田中雅明, “シリコンMOS 反転層へのスピン注入と検出”, 文部科学省研究費補助金 特定領域研究「スピン流の創出と制御」平成21年度第1回研究会, 北海道大学, 2009年8月9日-11日.
  • 50) 林 建吾,高村陽太,中根了昌,菅原 聡, “極薄絶縁膜上へのフルホイスラー合金Co2FeSiの形成とその評価”, 第56回応用物理学関係連合講演会, 筑波大学, つくば市, 2009年4月, 1a-Q-5. 
  • 51) 高村陽太,中根了昌,周藤悠介,菅原 聡, “不純物偏析技術を用いたCo2FeSiソース/ドレインMOSFETの作製と評価”, 第56回応用物理学関係連合講演会, 筑波大学, つくば市, 2009年4月, 1p-TB-9.
  • 52) 中北要佑,中根了昌,笹田崇,竹中充,高木信一, “熱酸化GeO2/Ge MOS 界面を用いたGe pMOSFET の移動度決定機構”, 第56回応用物理学関係連合講演会, 筑波大学, つくば市, 2009年4月, 1p-V-14.
  • 53) 森井清仁, 中根了昌, 杉山正和, 中野義昭, 竹中充, 高木信一, “MOVPE 装置を用いたAs 気相ドーピングによるGe p-n 接合の電気特性”, 第56回応用物理学関係連合講演会, 筑波大学, つくば市, 2009年4月, 1a-T-2.
  • 54) 中根了昌, 佐藤彰一, 菅原聡, 田中雅明, “強磁性MnAsソース・ドレインを用いたスピンMOSFET”, NEDOナノテクプロジェクト第4回研究会、東京大学本郷キャンパス, 2009年4月22日.
  • 55) 菅原聡,高村陽太,中根了昌,田中雅明, “強磁性体/MgO/pn接合複合構造ソース/ドレインMOSFET”, NEDOナノテクプロジェクト第4回研究会、東京大学本郷キャンパス、2009年4月22日.
  • 56) 田中雅明, 中根了昌, 大矢忍, A.M. ナズムル, ファムナムハイ, 矢田慎介, 遠藤裕幸, “スピン偏極電流制御デバイスと材料物性の研究”, 特定領域研究「スピン流の創出と制御」平成20年度研究成果報告会, 東北大学金属材料研究所, 2009年1月7日-8日.
  • 57) 林健吾, 高村陽太, 中根了昌, 菅原聡, “非晶質絶縁膜上へのフルホイスラー合金Co2FeSiの形成と評価”, The 13th Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors (13th PASPS), 仙台, 東北大学, 2009年1月, B-3, p.9.
  • 58) 中根了昌, 原田智之, 杉浦邦晃, 菅原聡, 田中雅明, “シリコンMOS反転層へのスピン注入とスピンMOSFETへの応用”, NEDOナノテクプロジェクト第4回研究会、東京大学本郷キャンパス, 2008年10月14日.
  • 59) 菅原聡, 橋詰研志, 高村陽太, 中根了昌, 田中雅明, “強磁性体/MgO/pn複合構造ソース/ドレインMOSFETの評価”, NEDOナノテクプロジェクト第4回研究会、東京大学本郷キャンパス, 2008年10月14日.
  • 60) 高村陽太, 中根了昌, 菅原聡, “RTAによって作製したフルホイスラー合金Co2FeSiの規則度”, 春日井, 中部大学, 2008年9月, 2a-ZR-6.
  • 61) 林健吾, 高村陽太, 中根了昌, 菅原聡, “非晶質絶縁膜上に形成したフルホイスラー合金Co2FeSiの結晶構造評価”, 春日井, 中部大学, 2008年9月, 2a-ZR-7.
  • 62) 菅原 聡,高村陽太,中根了昌,周藤悠介,山本修一郎, “スピンMOSFETを用いたスピントランジスタ・エレクトロニクス”(招待講演), 第69回応用物理学会学術講演会, 中部大学, 春日井, 2008年9月3p-E-3, 予稿集 p23.
  • 63) 中根了昌, 原田智之, 杉浦邦晃, 菅原聡, 田中雅明, “強磁性MnAsを用いたスピンMOSFETのスピン依存伝導特性”, 特定領域研究「スピン流」成果報告会, 京都大学 芝蘭会館, 2008年7月22日ー24日.
  • 64) 中根了昌, 原田智之, 田中雅明, 菅原聡, “強磁性金族MnAsをソース/ドレインに用いたスピンMOSFETの作製とデバイス特性”, NEDOナノテクプロジェクト第三回研究会, 東京大学本郷キャンパス, 2008年5月15日.
  • 65) 菅原聡,高村陽太,中根了昌,田中雅明, “強磁性体/MgO/pn接合複合構造ソース/ドレインMOSFETの開発”, NEDOナノテクプロジェクト第三回研究会, 東京大学本郷キャンパス, 2008年5月15日.
  • 66) 高村陽太, 西島輝, 中根了昌, 宗片比呂夫, 菅原聡,”RTAを用いて作製したフルホイスラー合金Co2FeSi、Co2FeGeの構造”、第55回応用物理学会関連連合講演会, 日本大学, 千葉, 2008年3 月, 28a-F-4.
  • 67) 森井清仁, Sanjeewa Dissanayake, 田辺聡, 中根了昌, 竹中充, 菅原聡, 高木信一, “メタルソース・ドレインnチャネルGOI MOSFETのチャネル電子移動度測定”, 第55回応用物理学関係連合講演会, 日本大学理工学部, 千葉, 2008年3月, 29a-P11-15.
  • 68) 星井拓也, 出浦桃子, 杉山正和, 中根了昌, 菅原聡, 竹中充, 中野義昭, 高木信一, “Si(111)基板上へのInAsピラーの形成”, 第55回応用物理学関係連合講演会, 日本大学理工学部, 千葉, 2008年3月, 28p-ZT-17.
  • 69) 中北要佑, 中根了昌, 竹中充, 高木信一, “Ge酸化膜MOS界面を用いたGe p-MOSFETの作製”, 第55回応用物理学関係連合講演会, 日本大学理工学部, 千葉, 2008年3月, 29a-P11-24.
  • 70) 田辺聡, 中北要佑, 原田智之, S.Dissanayake, 中根了昌, 竹中充, 菅原聡, 高木信一, “GOI pMOSFETの正孔反転層における移動度の評価”, 第55回応用物理学関係連合講演会, 日本大学理工学部, 千葉, 2008年3月, 28p-ZR-9.
  • 71) 杉山正和,出浦桃子,星井拓也,山本剛久,幾原雄一,田尻寛男,木村滋,中根了昌, 竹中 充,菅原聡,高木信一,中野義昭, “微小領域選択MOVPE により作製したSi (111)面上InGaAsの構造解析”, 日本大学理工学部, 千葉, 2008年3月, 28p-ZT-15.
  • 72) 出浦桃子,星井拓也,杉山正和,中根了昌,竹中充,菅原聡,高木信一,中野義昭, “微小領域選択MOVPE におけるSi 上InGaAs の横方向成長に対するGa 組成の影響”, 第55回応用物理学関係連合講演会, 日本大学理工学部, 千葉, 2008年3月, 28p-ZT-16.
  • 73) 高村陽太, 西島輝, 長浜陽平, 中根了昌, 菅原聡, “GOI基板を用いたL21型フルホイスラー合金Co2FeGeの形成と評価”, 科学研究費補助金特定領域研究シリコンナノエレクトロニクスの新展開-ポストスケーリングテクノロジー-第二回成果報告会, 東京, 秋葉原コンベンションホール, 2008年3月7日, paper P102.
  • 74) 原田智之, 中根了昌, 田中雅明, 菅原聡, “Si MOS反転層へのスピン注入とその電気的検出”, 特定領域研究「スピン流の創出と制御」平成19年度成果報告会, 東京大学本郷キャンパス工学部2号館講堂, 2008年2月27日-28日.
  • 75) 高村陽太, 西島輝, 中根了昌, 宗片比呂夫, 菅原聡,“Germanium-on- insulator (GOI)基板を用いたホイスラー合金の作製とその評価”, 第68回応用物理学会学術講演会, 北海道工業大学, 札幌, 2007年9月, 5a-S-2.
  • 76) 高村陽太, 西島輝, 長浜陽平, 中根了昌, 宗片比呂夫, 菅原聡,“Rapid thermal annealingを用いたフルホイスラー合金の作製と評価”, 第12回「半導体スピン工学の基礎と応用」研究会, 大阪大学, 2007年12月20日-12月21日, P6, p.28.
  • 77) 中根了昌, 杉浦邦晃, 原田智之, 國谷瞬, 菅原聡, 田中雅明, “半導体/磁性体界面制御技術(ショットキー障壁)の開発:詳細結果”, NEDOナノテクプロジェクト第2回研究会, 東京大学本郷キャンパス, 2007年10月23日.
  • 78) 菅原聡,中根了昌,田中雅明, “強磁性体/MgO/pn接合複合構造ソース/ドレインMOSFETの開発”, NEDOナノテクプロジェクト第2回研究会, 東京大学本郷キャンパス, 2007年10月23日.
  • 79) 中根了昌, 田中雅明, 菅原聡,“Siキャップ層による強磁性Fe3Si薄膜形成温度の低温化”, 第68回応用物理学会学術連合会, 北海道工業大学, 札幌, 2007年9月, 5a-S-9.
  • 80) 高村陽太, 西島輝, 長浜陽平, 中根了昌, 宗片比呂夫, 菅原聡,“RTAを用いた非晶質絶縁膜上へのホイスラー合金の形成とその評価”, 第68回応用物理学会学術連合会, 北海道工業大学, 札幌, 2007年9月, 5a-S-1.
  • 81) 高村陽太, 西島輝, 長浜陽平, 中根了昌, 宗片比呂夫, 菅原聡,“Germanium-on-insulator(GOI)基板を用いたホイスラー合金の作製とその評価”, 第68回応用物理学会学術連合会, 北海道工業大学, 札幌, 2007年9月, 5a-S-2.
  • 82) 星井拓也, 出浦桃子, 杉山正和, 中根了昌, 菅原聡, 竹中充, 中野義昭, 高木信一, “微小孔を介したSi基板上InGaAs成長におけるモフォロジー向上”, 第68回応用物理学会学術連合会, 北海道工業大学, 札幌, 2007年9月, 7p-E-13.
  • 83) 出浦桃子, 杉山正和, 星井拓也, 中根了昌, 竹中充, 菅原聡, 中野義昭, 高木信一, “Si上III/V族化合物半導体の選択MOVPEにおける初期核発生過程の観察と制御”, 第68回応用物理学会学術連合会, 北海道工業大学, 札幌, 2007年9月, 7p-E-14.
  • 84) 中根了昌, 杉浦邦晃, 田中雅明, 菅原聡, “MOS型スピントランジスタのための材料プロセス”, NEDOナノテクプロジェクト第1回研究会, 東京大学本郷キャンパス, 2007年5月7日.
  • 85) 高村陽太, 中根了昌, 宗片比呂夫, 菅原聡, “Silicon-on-insulator(SOI)基板を用いたホイスラー合金の作製とその磁性評価”, 第54回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学, 神奈川, 2007年3月, 28a-ZT-9.
  • 86) 田辺聡, 上原貴志, 中根了昌, 菅原聡, 高木信一, ”GOI (Ge-On-Insulater) MOSチャネル中の正孔の速度-電界特性”, 第54回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学, 神奈川, 2007年3月, 27a-SC-10
  • 87) 上原貴志, 田辺聡, 松原寛, 中根了昌, 菅原聡, 高木信一, “原子状水素アニールによるSi/Ge/SOI構造メタルS/D pMOSFETの特性改善”, 第54回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学, 神奈川, 2007年3月, 28a-ZQ-9
  • 88) 菅原聡, 中根了昌, 杉浦邦晃, 松野知紘, 田中雅明, “三端子スピンデバイスと再構成可能な論理回路”, 文部科学省RR2002 ITプログラム「高機能・超低消費電力メモリの開発」プロジェクト 平成18年度報告会 東北大学電気通信研究所, 2007年3月9日.
  • 89) 杉浦邦晃, 中根了昌, 菅原聡, 田中雅明, “エピタキシャル強磁性MnAsソース・ドレインを有するスピンMOSFET”, 東京大学固体エレクトロニクス・オプトエレクトロニクス研究会, 東京大学本郷キャンパス, 2007年3月12日.
  • 90) 菅原聡, 中根了昌, 杉浦邦晃, 松野知紘, 田中雅明, “三端子スピンデバイスと再構成可能な論理回路”, 文部科学省RR2002 ITプログラム「高機能・超低消費電力メモリの開発」プロジェクト 平成18年度第3回研究成果報告会, 東北大学電気通信研究所, 2007年1月26日.
  • 91) 田中雅明,中根了昌,杉浦邦明,周藤悠介,矢田慎一,菅原聡, "IV 族ベース・スピントロニクスデバイスと再構成可能な論理回路",第67 回応用物理学会学術講演会, 立命館大学, 草津, 2006年9月, 31p-RD-1.
  • 92) 中根了昌, 田中雅明, 菅原聡, ”Silicon-on-snsulator (SOI) 基板上の強磁性Fe1-xSix薄膜の磁性と構造評価”, 第53 回応用物理学関係連合講演会, 武蔵工業大学, 東京, 2006年3月, 24a-ZM-10.
  • 93) 菅原聡, 中根了昌, 高木信一, “オーミックコンタクト合金を用いたメタル・ソース/ドレインMOSFET”, 第53 回応用物理学関係連合講演会, 武蔵工業大学, 東京, 2006年3月, 25a-x-12.
  • 94) 菅原聡, 周藤悠介, 矢田慎介, 中根了昌, 杉浦邦晃, 田中雅明, “IV族ベース・磁性半導体の成長、物性とその応用”, 文部科学省RR2002 ITプログラム「高機能・超低消費電力メモリの開発」プロジェクト 平成17年度研究成果報告会, 東北大学電気通信研究所, 2006年3月9日-10日.
  • 95) 中根了昌, 田中雅明, 菅原聡, ”Silicon-on-insulator (SOI) 基板を用いた強磁性Fe1-xSixの作製と磁気特性, 第66 回応用物理学会学術講演会, 徳島大学, 徳島, 2005年9月, 10a-ZQ-6.
  • 96) 中根了昌, 田中雅明, 菅原聡, “シリコンベース・スピンデバイスに向けたFe1-xSixの作製と評価”, 文部科学省RR2002 ITプログラム「高機能・超低消費電力メモリの開発」プロジェクト 平成17年度第1回研究報告会, 東北大学電気通信研究所, 2005年6月30日.
  • 97) K. Sugiura, R. Nakane, S. Sugahara and M. Tanaka “Schottky barrier height analysis of ferromagnetic metal - Si junctions for spin MOSFETs”, 第24回電子材料シンポジウム(EMS24), C5, 愛媛, 2005, p39.
  • 98) 菅原聡, 杉浦邦明, 中根了昌, 田中雅明, “強磁性Fe1-xSix をショットキー・ソース/ドレインに用いたスピンMOSFET の作製”, 第52 回応用物理学関係連合講演会, 埼玉大学, さいたま,2005年3月, 29a-YD-9.
  • 99) 杉浦邦明, 中根了昌, 菅原聡, 田中雅明, “強磁性金属-Si 接合におけるショットキー障壁高さの評価”, 第52 回応用物理学関係連合講演会, 埼玉大学, さいたま,2005年3月, 30a-YD-1.
  • 100) 袁米旺, 中根了昌, 近藤潤, 菅原聡, 田中雅明, “エピタキシャルMnAs/NiAs/MnAsヘテロ構造の構造評価”, 第52回応用物理学関連連合講演会, 埼玉大学, 2005年3月, 1a-YD-5.
  • 101) 中根了昌, 近藤潤, 菅原聡, 田中雅明, “エピタキシャルMnAs/NiAs/MnAsヘテロ構造におけるスピン注入磁化反転効果”, 電気学会マグネティクス研究会, 島根大学, 2005年3月11日.
  • 102) 中根了昌, 田中雅明, “Epitaxial ferromagnetic MnAs thin films and heterostructures: Growth, structure, magnetic and spin transport properties”(エピタキシャル強磁性MnAs薄膜とそのヘテロ構造:成長、構造、磁気特性およびスピン伝導現象), 固体エレクトロニクス研究会, 東京大学柏キャンパス, 2005年2月28日.
  • 103) 田中雅明, 菅原聡, アーサンナズムル, 大矢忍, 中根了昌, “半導体スピントロニクス・ヘテロ構造電子デバイスの研究”, 文部科学省科学研究費特定領域研究「半導体ナノスピントロニクス」平成16年度第2回研究成果報告会, 東京工業大学, 2005年1月27日-28日.
  • 104) 田中雅明, 菅原聡, アーサンナズムル, 大矢忍, 中根了昌, 松野知紘, “半導体スピントロニクス・ヘテロ構造電子デバイスの研究 -Spin-MOSFETの提案・解析と再構成可能な論理回路への応用-”, 文部科学省科学研究費特定領域研究「半導体ナノスピントロニクス」平成15年度成果報告会(報告書pp.179-186), 国際高等研究所, 京都, 2004年1月27日-28日.
  • 105) R. Nakane, J. Kondo, M. W. Yuan, S. Sugahara and M. Tanaka, “Epitaxial metallic MnAs/NiAs/MnAs heterostructures grown on exact GaAs(111)B substrates”, The 10th Symposium on the Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors”, Tokyo, Japan, June 2004, PB3.
  • 106) 中根了昌, 近藤潤, 菅原聡, 田中雅明, “磁気力顕微鏡を用いた微小MnAs 薄膜ドットの磁区観察”, 第65 回応用物理学会学術講演会, 仙台, 2004年9月, 3p-X-8.
  • 107) 中根了昌, 菅原聡, 田中雅明, “エピタキシャルMnAs 薄膜の熱処理による結晶性と磁気特性の改善”, 第64 回応用物理学会学術講演会, 福岡大学, 福岡, 2003年9月, 1a-ZL-8.
  • 108) R.Nakane, S.Sugahara and M.Tanaka, “Growth and Magnetoresistance of Epitaxial Metallic MnAs/NiAs/MnAs Trilayers on GaAs(001) Substrates”, The 9th Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors (PASPS-9), Tokyo, 2002, PB22.
  • 109) 中根了昌, 菅原聡, 田中雅明, ”MnAs/NiAs/MnAs 三層構造のエピタキシャル成長と磁気抵抗効果”, 第50 回応用物理学関係連合講演会, 神奈川大学, 横浜, 2003年3月, 27p-W-29.
  • 110) 田中雅明, 菅原聡, アーサンナズムル, 大矢忍, 中根了昌, 松野知紘, “半導体スピントロニクス・ヘテロ構造電子デバイスの研究”, 文部科学省特定領域研究「半導体ナノスピントロニクス」平成14年度成果報告会、KKRホテル東京、2003年1月27日~28日.
  • 111) S. Sugahara, K. L. Lee, T. Matsuno, R. Nakane and M. Tanaka, “Epitaxial growth and magnetic properties of single-crystal MnAs/AlAs/MnAs magnetic tunnel junctions on exact (111)B GaAs substrates : The effect of ultra-thin GaAs buffer layers”, The 8th Symposium on the Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors, Sendai, Japan, December, 2002, F8.

特許

  • 1) 武笠幸一、澤村誠、末岡和久、廣田榮一、中根了昌、中村基訓、“磁気記憶素子、磁気メモリ、磁気記録方法、磁気記憶素子製造の方法、及び磁気メモリの製造方法”、権利者:北海道大学学長、特許第3482469号、出願日:2001年5月21日. 
  • 2) Koichi Mukasa, Makoto Sawamura, Kazuhisa Sueoka, Ryosho Nakane, Motonori Nakamura, “Magnetic recording element, magnetic memory, magnetic recording method, method for fabricating a amagnetic recording element, and method for fabricating a magnetic memory”, United States Patent 6757192, June 29, 2004.
  • 3) 渡辺秀樹、澤村誠、末岡和久、武笠幸一、中根了昌、“周波数逓倍方法及び周波数逓倍器”、権利者:北海道大学学長、特許第3584281号、出願日2001年1月22日. 
  • 4) Hideki Watanabe, Makoto Sawamura, Kazuhisa Sueoka, Koichi Mukasa, Ryosho Nakane, “ Method and apparatus for multiplying a frequency of an electromagnetic wave”, United States Patent 6577213, June 10, 2003.
  • 5) 武笠幸一、近角聰信、廣田榮一、中根了昌、澤村誠、“磁気記録方法及びその磁気記録装置”、 権利者:科学技術振興事業団、特許第3153252号、国際出願番号:WO99/50833、出願日:1999年2月9日. 
  • 6) Koichi Mukasa, Soshin Chikazumi, Eichi Hirota, Ryosho Nakane, Makoto Sawamura, “Method and apparatus for magnetic recording”, United States Patent 60504665, January 7, 2003.
  • 7) Koichi Mukasa, Soshin Chikazumi, Eichi Hirota, Ryosho Nakane, Makoto Sawamura, “Method and apparatus for magnetic recording”, Europian Patent 99902860.8, 26 May, 2000.

学会、社会活動等

  • 1) 科学研究費委員会審査委員 平成28-29年度
  • 2) 日本応用物理学会 スピントロニクス研究会 企画幹事 2015年4月~2017年3月
  • 3) International Conference on the Physics and Applications of Spin Related Phenomena in Semiconductors (PASPS-VI) 2010年8月1-4日、東京大学にて開催、総務委員
  • 4) 総合科学技術会議・平成23年度概算要求における科学技術関係施策の優先度判定、若手外部専門家として参加
  • 5) The 1st Workshop on Bio-inspired Energy-Efficient Information Systems 2014年1月14日 東京大学山上会館にて開催、企画運営
  • 6) The 2nd Workshop on Bio-inspired Energy-Efficient Information Systems 2016年3月2日 東京大学山上会館にて開催、企画運営
  • 7) The 3rd Workshop on Bio-inspired Energy-Efficient Information Systems 2018年3月12日 東京大学福武ホールにて開催、企画運営
  • 8) 産学連携としてIBM社と「next generation nano-micro devices and systems for energy-efficient information processing」に関する共同研究(Neuro-morphic電子デバイス・システムの開発)2013年10月~

これまでの競争的資金の獲得状況

研究代表者(個人研究)

  • 1) 科学研究費補助金 基盤研究(B), エピタキシャルフェライトヘテロ構造の創製とスピン機能デバイスへの応用, 平成26‐28年度, 期間全体での研究費(直接経費)13,600千円
  • 2) 科学研究費補助金 挑戦的萌芽研究, III-V族化合物半導体ベーススピントランジスタの開発,平成26‐27年度, 期間全体での研究費(直接経費) 3,950千円
  • 3) 科学研究費補助金 若手研究(A), スピンフィルター磁性ヘテロ構造の創製と集積デバイスへの応用, 平成23-25年度, 期間全体での研究費(直接経費)19,700千円
  • 4) 公益財団法人 村田学術振興財団 研究助成, 絶縁性磁性体スピン偏極電子源のシリコン基板上への創製と電子デバイスへの応用, 平成23年8月-平成24年8月, 期間全体での研究費(直接経費)1,500千円
  • 5) 公益財団法人 東電記念科学研究所 基礎科学研究助成, シリコン基板上への磁性人口構造の創製とスピン機能デバイスへの応用, 平成22-23年度, 期間全体での研究費(直接経費)10,000千円
  • 6) 科学研究費補助金 挑戦的萌芽, 磁性体微粒子を含む酸化物へテロ構造の創製, 平成22-23年度, 期間全体での研究費(直接経費)3,300千円
  • 7) 科学研究費補助金 若手研究(A), シリコン中でのキャリアスピン物理の解明とスピンデバイスへの応用, 平成20-22年度, 期間全体での研究費(直接経費)20,100千円
  • 8) 科学研究費補助金 若手研究(B), 強磁性体からSiへのスピン注入とスピン蓄積効果に関する研究, 平成18-19年度, 期間全体での研究費(直接経費)3,900千円

研究分担者

  • 1) JST CREST,強磁性量子ヘテロ構造による物性機能の創出と不揮発低消費電力スピンデバイスへの応用,平成29-34年度、研究代表者:田中雅明, 期間全体での研究費(直接経費)
  • 170,000千円
  • 2) 科学研究費補助金 特別推進研究, 不揮発性および再構成可能な機能をもつ半導体材料とデバイスの研究開発, 平成23-27年度, 研究代表者:田中雅明, 期間全体での研究費(直接経費)414,700千円
  • 3) 科学研究費補助金 基盤研究(S) , リコンフィギャラブル・ナノスピンデバイス, 平成18-22年度, 研究代表者:田中雅明, 期間全体での研究費(直接経費)77,900千円
  • *2)については、所属変更の関係などにより平成18-19年度のみ分担者