Welcome to homepage of Tanaka-Ohya Laboratory, The University of Tokyo
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News
2011年
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矢田慎介氏が下記論文により、応用物理学会論文賞「応用物理学会論文奨励賞」
を受賞し、2011年第72回秋季応用物理学会学術講演会にて授賞式および受賞記念
講演を行いました。
Single-Crystalline Ferromagnetic Alloy Semiconductor Ge1－xMnx Grown on Ge(111) Shinsuke Yada, Ryohei Okazaki, Shinobu Ohya, and Masaaki Tanaka Appl. Phys. Express 3 (2010) 123002.
JSAP OUTSTANDING PAPER AWARD 2011, APEX/JJAP YOUNG SCIENTIST AWARD -
東京大学グローバルCOEの代表的な研究成果として、当研究室のスピントロニク
スに関する研究成果が
東京大学のホームページ
に掲載されました。
A New Spin on Semiconductors - Spintronics Research Opens the Way to New Semiconductor Technology -
東京大学電気系学科優秀卒業論文賞および工学部長賞 レ デゥック アイン (Le Duc Anh) 2011年3月
卒業論文「新規強磁性半導体(In,Fe)Asの結晶成長およびその伝導特性と磁気特性の評価」 -
「強磁性半導体GaMnAsにおいてフェルミ準位の位置とバンド構造を系統的に解明
した研究成果」が英国科学誌ネイチャー・フィジックス（2011年2月6日電子版）
に掲載されたほか、さまざまなメディアで報道された。
Shinobu Ohya, Kenta Takata, Masaaki Tanaka, "Nearly non-magnetic valence band of the ferromagnetic semiconductor GaMnAs" Nature Physics 7, 342-347 (2011). -
東京大学よりプレスリリース
http://www.u-tokyo.ac.jp/public/public01_230207_j.html
http://www.u-tokyo.ac.jp/public/pdf/230207.pdf - 日刊工業新聞 ３月３日付２２面 ガリウム・マンガン・ヒ素半導体 強磁性発現の構造発見
-
東京大学新聞 ３月３日付 １面 強磁性半導体 基礎構造を解明
http://www.utnp.org/2011/03/post_1975.html -
東大、様々な強磁性半導体GaMnAs試料においてフェルミ準位の位置とバンド構造を系統的に解明
日経プレスリリース -
東大、強磁性半導体GaMnAs試料においてフェルミ準位位置とバンド構造を解明
マイコミジャーナル -
東大、強磁性半導体GaMnAs試料においてフェルミ準位位置とバンド構造を解明
YAHOO! Japan ニュース -
東大、強磁性半導体GaMnAs試料においてフェルミ準位位置とバンド構造を解明
chem-index -
東大、強磁性半導体GaMnAs試料においてフェルミ準位位置とバンド構造を解明
Gooマネー -
「強磁性半導体GaMnAsにおいてフェルミ準位の位置とバンド構造を系統的に解明
した研究成果」が英国科学誌ネイチャー・フィジックスに掲載され、
Nature Physics誌のnews & viewsで取り上げられました。
"Dilute magnetic semiconductors, Hidden order revealed", Nature Physics 7, pp.285-286 (2011).
http://www.nature.com/nphys/journal/v7/n4/full/nphys1971.html - メンバー、発表論文、研究活動を更新しました 2011年2月
2010年
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共鳴鳴トンネルスペクトロスコピーによる強磁性半導体GaMnAsの価電子帯構造の解明に関する研究成果が米国物理学会誌 Physical Review Letters に掲載され
ました。
Shinobu Ohya, Iriya Muneta, Pham Nam Hai, and Masaaki Tanaka.
"Valence-Band Structure of the Ferromagnetic Semiconductor GaMnAs Studied by Spin-Dependent Resonant Tunneling Spectroscopy", Physical Review Letters 104, 167204 (2010).
http://prl.aps.org/abstract/PRL/v104/i16/e167204 -
東京大学電気系学科優秀卒業論文賞および電気系学科長賞 高田健太 2010年3月23日
卒業論文「Ⅲ-Ⅴ族強磁性半導体(Ga,Mn)As表面層における共鳴トンネル分光」 -
田中・大矢研究室の「金属ナノ微粒子で１０マイクロ秒と世界最長のスピン
緩和時間を観測した研究成果」が英国科学誌ネイチャー・ナノテクノロジーに掲載
されたほか、さまざまなメディアで報道されました。
Pham Nam Hai, Shinobu Ohya, and Masaaki Tanaka. "Long spin-relaxation time in a single metal nanoparticle", Nature Nanotechnology 5, 593-596 (2010).
http://www.nature.com/nnano/journal/v5/n8/abs/nnano.2010.130.html -
金属ナノ微粒子における長いスピン緩和時間を観測
http://www.u-tokyo.ac.jp/public/pdf/220705.pdf
（東京大学よりプレスリリース、2010年7月5日） -
東大、金属ナノ微粒子で１０マイクロ秒と世界最長の「スピン緩和時間」観測
日刊工業新聞、2010年7月12日掲載
http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720100712eaac.html -
東大、金属ナノ微粒子における長いスピン緩和時間を観測
日経プレスリリース、2010年7月5日
http://release.nikkei.co.jp/detail.cfm?relID=255610 -
金属ナノ微粒子における長いスピン緩和時間を観測
Nanotech Japan 2010.7.20
https://nanonet.nims.go.jp/modules/news/article.php?a_id=872 -
東大、金属ナノ微粒子で10μsのスピン緩和時間の観測に成功
マイコミジャーナル 2010/07/07
http://journal.mycom.co.jp/news/2010/07/07/002/index.html -
東大、金属ナノ微粒子で１０マイクロ秒と世界最長の「スピン緩和時間」観測
アクティブサイエンスレビュー 2010年7月15日
http://sci-review.activeray-sci.com/?eid=1597786 -
東京大学低温センター成果発表会 ベストプレゼンテーション賞 秋山了太 2010年3月4日
秋山了太、ファムナムハイ、大矢忍、田中雅明
”MnAs強磁性微粒子を含む半導体へテロ接合 －スピン起電力と巨大磁気抵抗効果”
東京大学低温センター成果発表会、東京大学、2010年3月4日． -
Editors' Choice from APEX and JJAP
Single-Crystalline Ferromagnetic Alloy Semiconductor Ge1-xMnx Grown on Ge(111) by Shinsuke Yada, Ryohei Okazaki, Shinobu Ohya, and Masaaki Tanaka Appl. Phys. Express 3 (2010) 123002 http://apex.jsap.jp/link?APEX/3/123002/ View Figure 2: http://apex.jsap.jp/alert/img-figs/3/APEX-3-123002_Fig2_large.gif
2009
- Our research,"Electromotive force and huge magnetoresistance in magnetic tunnel junctions", was published from Narure and reported much. Pham Nam Hai, Shinobu Ohya, Masaaki Tanaka, Stewart E.Barnes, Sadamichi Maekawa "Electromotive force and huge magnetoresistance in magnetic tunnel junctions" Nature 458, pp.489-492 (2009). Nature advance online publication 8 March 2009 http://www.nature.com/nature/journal/vaop/ncurrent/abs/nature07879.html
- Yomiuri shimbun 2009/3/9 the evening paper 近くに磁石置くだけで発電 「スピン起電力」実現 東大チーム
- Yomiuri Online 近くに磁石置くだけで発電「スピン起電力」…東大チーム http://www.yomiuri.co.jp/science/news/20090309-OYT1T00706.htm
- 日刊工業新聞 Nikkan Kougyou Shimbun 2009/3/9 「スピン起電力」実証 東北大、東大 トンネル実験で
- 化学工業日報 Kagaku Kougyou Shimbun 2009/3/9 「スピン起電力」効果を初観測 東大など
- 東京大学 学術情報 The University of Tokyo academic information 2009/3/2 電気・磁気変換の新原理「スピン起電力」の実現に成功－ナノデバイスにおける新しい電磁気学と「超」巨大磁気抵抗効果の発見－ http://www.u-tokyo.ac.jp/public/pdf/210309.pdf
- 「電気・磁気変換の新原理“スピン起電力”の実現に成功」 ―ナノデバイスにおける新しい電磁気学と「超」巨大磁気抵抗効果の発見― http://nanonet.mext.go.jp/modules/news/article.php?a_id=537
- 日本経済新聞 Nihon Keizai Shimbun 2009/3/23 静磁場で電気流れる新材料 東大・東北大など
- 東京大学総長賞および総長特別賞、東京大学工学系研究科長賞・最優秀賞 The University of Tokyo president prize and a president special prize, Director Tokyo University engineering system study Prize / the highest award ファムナムハイ Pham Nam Hai 2009/3/23 博士論文 Dissertation Paper「Spin dependent transport phenomena in III-V semiconductor heterostructures with ferromagnetic MnAs nano-scale particles （ナノスケール強磁性MnAs微粒子を含むIII-V半導体へテロ構造におけるスピン依存伝導現象の研究）」
- 東京大学電気系学科優秀卒業論文賞 The University of Tokyo electrical and electronic engineering department excellent graduation thesis Prize 王哲 2009/3/24 卒業論文「閃亜鉛鉱型MnAs微粒子を含む半導体へテロ構造における起電力現象の観測」
- 40th International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2008) Young Researcher Award、Pham Nam Hai 2009年9月 41st SSDMにて受賞 受賞論文 Pham Nam Hai, Shinobu Ohya, and Masaaki Tanaka “Huge Magnetoresistance Effect in Semiconductor based Nanostructures with Zinc-blende MnAs Nanoparticles” presented at 40th International Conference on Solid State Devices and Materials, Tsukuba, September 24-26, 2008.
- NPG Asia Materials, featured highlight "Magnetic nanostructures: Faraday's law evolves" (Published online 22 June 2009)
- http://www.natureasia.com/asia-materials/highlight.php?id=464 オンラインジャーナル Nature Publishing Group Asia Materials のハイライト記事(featured highlight)に、 「磁性ナノ構造：ファラデーの法則は進化する」と題する田中研究室の研究成果が紹介された。
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